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体系的研究
潘存海徐英惠王少岩 崔文秀王志娜康增江
-磐磊∥一∥j。。i?0r 河北省科学院机电一体化中试基地 石家庄友谊南大街46号050081
金刚石膜表面金属化对其热导率的影响．优化工艺热导率降低可控制在6．5％以内。
关键词金属化电子柬蒸发金刚石膜化学气相沉积
1引 言
金刚石膜因其优良的热导率和良好的电绝缘性能，为制造半导体热沉创造了极好的条
件．随着技术的发展和制造成本的降低，采用金刚石膜作为半导体器件的热沉是必然趋势。
金刚石膜作为热沉和半导体器件焊接，首先必须经过表面金属化。
金刚石膜表面金属化工艺主要解决金刚石碳碳键和金属之间结合问题，使之具有良好的
’附着强度以及与半导体芯片之间良好的焊接性能；并且能承受器件焊接过程中的高温，以及
工作过程中的热疲劳和热应力。保证焊接和使用过程中金刚石膜表面和半导体芯片之间结合
牢固。
。c，30
调金刚石膜和金属之间形成欧姆接触(OhmicContacts)其界面必须形成稳定的碳化物。
Katz等Dl采用Ti，Pt／Au体系金刚石膜金属化后成功地应用到半导体激光器中。
本文采用真空电子束蒸发实现了CVD金刚石膜表面的金属化。通过真空热处理可以实
布．采用PTDS．Ⅱ型光热偏转方法测量了不同工艺条件下金刚石膜表面金属化对其热导率的
影响．
2试验方法
采用DM-450真空电子柬蒸发方法和真空热处理工艺实现了T淝删似u体系金剐石膜
金中扩散。利用grDS·II型光热偏转方法测量了不同工艺条件下金刚石膜表面金属化对其热
‘
导率的影响．实际测量了金刚石膜金属化后的伏安特性。
3试验结果及讨论
3．1 Rutherford背散射谱检测结果
金刚石膜表面金属化工艺主要解决金刚石碳碳键和金属之间结合问题。使之既具有良好
的附着强度、焊接性能，又能承受器件焊接过程中的高温以及使用过程中的热疲劳和热应力，
图l(a,b)所示。
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a钛，铜，镲化学成分局部放丈 b盒剧石膜和金属化层界面化学成分局部放大
图l Ti／cu／Ni／Au金属化体系在不同真空热处理条件下的Rutherford背散射谱
处理、450。C／30min和800oC／30min真空热处理条件下金属化层的化学成分变化。其中，
450。C／
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