超声AB腐蚀法显示砷化镓晶体缺陷的可靠性.pdfVIP

超声AB腐蚀法显示砷化镓晶体缺陷的可靠性米 鞠玉耔。 粱秀红 姜卫红 刘文杰 河北工业大学材料研究中心，天津，300130 摘要： 为了提高砷化镓缺陷检测的可靠性，我们在实际应用中特意对熔融KOH腐蚀法、AB腐蚀法 和超声AB腐蚀法三种腐蚀方法进行了可靠性对比实验研究．其中超声AB腐蚀法却表现出操作简便，适用范围 广，显示缺陷的可靠性和充分性都很高．同时它的分辩能力强，获得缺陷信息量多等特点，是一种值得推广的 GaA$晶体缺陷检铡方法． 本文提出了超声AB腐蚀法检测GaAs晶体缺陷的检鼬工艺条件．并提供了部分有代表性的照片．建议有关 部门在今后修订国家标准时应对超声AB腐蚀法予以考虑． 一、前言 随着GaAs材料和GaAs器件研究的不断深入，人们对GaAs器件的特性与材料中缺陷的关系 越来越重视．由于GaAs化合物半导体和元素半导体相比结构复杂，且具有极性，与之相应GaAs 晶体缺陷的类型、结构和行为也更为复杂。 对它们的研究尚欠深入。到现在为止，用来显示与 的国家标准方法．1992年由陈诺夫在AB腐蚀法基础上加超声波，称为超声AB腐蚀法“’，但至 今未得到广泛应用。 为了提高GaAs晶体缺陷检测的可靠性，对以上三种腐蚀方法的效果进行了实验研究． 二、实验过程 1、实验用样品 生长方法 样品编号 掺杂类型 载流予浓度(cml) 晶面 HB A Si (3—4)xlO” (100) LEC B 无掺 106—107 (100) HB C Te (1—2)x1018 (100) 船 D Te (i一2)xi0‘8 (¨1) HB E Si 3x10” (100) LpE F (100) 2、样品抛光 根据需要将样品进行切割、研磨与抛光．抛光分两步进行，先在长毛绒上进行机械抛光， 然后在水、双氧水、浓硫酸(9骗)混合液中进行化学抛光．配比为：H20：H。02：]12S0；= 1： 1：3，直至样品表面呈现光亮镜面为止．在我们的实验条件下，化学抛光时间约为2 分钟左右。 }河北省自然科学基金资助项目 47 一 一‘Y一’of～ 3、缺陷显示方法 样品放人熔融KOH中进行腐蚀，约5分钟之后取出冷却到室温，再用水冲洗，干燥，最后在 AB腐蚀法化学配比：H202ml，盯1ml，Cr038mg，是将 金相显微镜下观察； ig，AgN03 腐蚀液温度稳定在40。C左右再将样品放人，进行腐蚀，经3—5分钟取出样品，清洗烘干后 再进行金相显微镜观察；超声AB腐蚀法：是在AB腐蚀法基础上加上超声这个条件，对GaAs 样品进行腐蚀检测．本实验认为超声波频率选在18—20KHz，功率在80W左右，腐蚀时间在 3—5分钟． 三，实验结果 评价～种腐蚀方法首先要考虑其能够显示缺陷的类型、适用范围、可靠性、充分性、灵 敏度以及工艺操作是否简便等．在上述三种腐蚀方法中，只有超声AB腐蚀法同时可满足以上 各方面的要求．并具有如下特点、 1、操作简便 晶体缺陷充分显示出来． 2、适用范围广 通常用于显示GaAs晶体缺陷的各种腐蚀剂应用范围都非常窄”’．而超声^B腐蚀法适 用范围非常广泛， 能够显示不同生长方法(包括液相外延)、不同掺杂剂(N型，P型)、 不同晶向((111)，(100)GaAs晶体中各种缺陷，诸如位错、层错、微缺陷、杂质条 纹等等． 3、灵敏度高