硅片化学机械抛光动力学的分析的研究.pdfVIP

镜面新断键非常活泼，能量较高，力场强， 很快地定向排列在镜面上，使镜面张力降 根据择优吸附理论，非离子活性剂Rn 低、吉布斯函数变小，如图3所示，形成了 一层易清洗主要是色散力的物理的保护膜。 (呸lI．)60H分子优先被吸附在镜面上(在纯 水中活性剂是最多的物质，保证镜面吸附所 吸附是自发、自动的，并且活性剂对已 需要的量、降低能量、达到稳定状态-)，它 吸附物界面进行渗透，如图4所示，渗人镜 面与吸附物中间，向深处扩展，如同向界面 打人一个“楔子”，起着劈开的作用。如为 弱化学吸附，便将颗粒托起，活性剂分子将 原吸附物取代；同时颗粒的周围也吸附一层 活性荆分子，形成较厚的水化层。造成了防 图3活性刺大分子优先吸附(以色散 止吸附物和镜面问相互接近的空间障碍，将 一 力的物理吸附)示意图 有害的难去除的化学吸附转化为易清洗的物 理暖跗。有效地解决了徽电子器件捌备中长 期难解决的化学键吸附问题，并省去了刷片 机及爿片工序。存放时间由原来2小时延至 I ． I si M小时以上集中清洗，指标仍能达到并超 I 过SEMI国际标准。大大提高了生产效率， 圉4活性羽的强渗透特性，将已弱化 节省了大量试荆，克服了劂片引起二次损伤 学吸附物托起，吸附物也被活性 等剐作用。 荆包目示意图 硅片化学机械抛光动力学的分析研究 纱7黟 。。二刘玉岭 T刈?￡，够．f训，r (河北工业大学，天津300130) 擒萎本文分析研霓了Ic工艺中化学机械抛光动力学过程及控创条件。 1莆富 高硅片的平整度。减少形貌差。现在，已被 普遗承认的是，对于最小特征尺寸在 Ic工艺中，16Mb器件的特征尺寸为 0．35pro及以下的器件，必须进行全局平面 0．5pm量级；64灿为0．35pro；256Mb为 Polish· 化技术。而CMP(clIemical-Mechanical 0．25p．m；1Gb为0．15pan；。器件尺寸的缩小 导致了结构的立体化，出现多层结构。刻蚀 ins)是最好的也是唯一的全局平面化技 要求结构十分平坦，这样在生产时，要求提 术【1-2J，CMP的研究开发工作已发展至全 ·128· 球。如美国SEMATECH、欧洲JE豁I欧洲联物不能及时脱离表面，反应剂无法和硅原子 合体、法国唧和CNET、德国Frauobofer 接触，阻挡了反应继续进行。也就是说在整 及日本【3】、台湾地区等。尽管CMP技术发个抛光过程中，其抛光速率由两个过程中速 展的进度很快，但面临着很多问题，诸如抛 率慢的过程所控制。这两个过