半导体故障解析技术（讲义）.pdfVIP

No.: RESH-MR-CQAC-00023 No.: 致: 珠海格力电器股份有限公司 半导体故障解析技术 瑞萨电子 （中国）有限公司 中国质量保证中心 2012/09/03 ©2012. Renesas Electronics Corporation, All rights reserved. 目录 1. 故障解析技术 2. 破坏的原因 （ESD和EOS） 3. 半导体故障原理和不良事例介紹 2 ©2012. Renesas Electronics Corporation, All rights reserved. １．故障解析技术 3 ©2012. Renesas Electronics Corporation, All rights reserved. 1.1 什么是故障分析 当根据故障判断标准判断出对象器件已丧失基本功能时，就开始进行 故障分析。从完全老化到功能下降，故障所包含的范围非常广。最近，由 于电子设备系统变得非常复杂，不只是部件故障，而且经常因整个系统匹 配不良而发生故障。因此在进行故障分析时，如果不充分地考虑以上事项， 就会因得出错误结论而看错改善活动的方向。 故障分析是指通过仔细斟酌故障内容，明确故障机理，运用恰当的电 气、物理和化学分析技术解明故障原因。在进行实际的故障分析时，需要 在着手分析操作之前尽可能详细地调查故障发生时的状况，准确地把握故 障内容，并且还需要对特性值的变化内容、故障发生的经过、使用环境、 应力条件、实际设备上的问题以及人为的错误等进行分析。通过充分调查 这些问题，在某种程度上推定故障模式和故障机理非常重要，并以此为基 础决定最佳的分析方法和步骤。如果不充分地进行故障分析，就有可能因 错选了分析方法并损坏了贵重的分析样品而无法查明故障原因。另外，在 进行故障分析时，比较故障产品和良品也是尽快解决问题的突破口。 4 ©2012. Renesas Electronics Corporation, All rights reserved. 1.2 为什么故障解析非常的难？ LSI很小，却没有比他再大的地方了。LSI发生的不良一般只是涉及10nm程度的缺陷。但 对于芯片的面积来说这个缺陷却又如此的小。 做个比喻的话，发现单片机的缺陷就好 比从整体日本 （＝37万平方公里）找到一个1m×1m的洞。 地址不知道，在日本的哪个位置也不知道的情况下要找到1m×1m的一个洞是困难之极的。 在不良解析中最重要的是确定不良部位所花费的时间。只要确定了位置，之后的工作就 简单多了。在不良解析中最大的问题是确定不良位置。 370,000km2 6mm ×6mm=36mm2 1m 1m ＝ 不良部位 =10nm2 5 ©2012. Renesas Electronics Corporation, All rights reserved. 1.3 故障分析的步骤 故障分析的方法和步骤取决于上述故障的发生状况，一般按照下页所示的 步骤实施。对于故障产品，首先检查封装的外观，然后评价电特性并将故障模 式进行分类。其次，按照故障模式，在分析封装内部和芯片内部后，用光学显 微镜或者电子显微镜SEM: Scanning Electron Microscope）观察故障位置 （物理分析）。最后，通过综合判断，确定故障机理并制定对策。 6 ©2012. Renesas Electronics Corporation, All rights reserved. 1.3 故障分析的步骤 发生故障 样品的保存