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声表面波低插损IIC技术的理论研究 姜小清(航天工业总公司二院二十三所 北京长峰声表面波公司北京100854) 摘要本文从物理分析的角度，依据wRICHARD的理论，深入研究了声表面波低插入损耗技术中“镜 象阻抗”问题，找到了一种简单易行的算法。根据研究结果， 本人设计了新型低损耗声表面波滤波 器，并成功地应用于移动通讯产品中。 关键词声表面波滤波器低插损 l简介 声表面波(SAW)滤波器是一种无需调整，高度重复性和可靠性的小型器件“。1。这种器件 由制作在同一压电基片上的输入和输出两个叉指换能器(IDT)构成，输入IDT激励出声表面波， 输出IDT月J]把声信号转变成电信号。IDT是采用与硅集成电路同样的标准光刻工艺制作而成 的。 自从声表面波器件被开发与应用以来，从事这项工作的人们就不断地研究如何降低其插 滤波器，三换能器结构和环型多条耦合器等”“。这些设计大都是针对IDT的双向性损耗而采取 措施的。本文认为在众多的方法中，由于受多种多样工艺及技术条件限制，较为实用且简单 易行的方法是IIC方案：这其中还包括采用了先进的“新相位”加权技术，及利用IDT的阻抗 特性以实现高截止频率响应特性的“镜象技术”。尽管如此，采用IIc技术研制的低插损声表 面波滤波器存在着插损偏大，带外抑制较小，形状因子差等缺点，仍不能满足用户的进一步要 求。 本文依据前人的理论，从物理分析的角度，深入讨论了“镜象阻抗”问题，认为不存在 完备的“切趾”和“新相位”加权的等价关系，并找出了一种简单易行的阻抗算法。采用该 理论，本文作者研制的低插损声表面波滤波器各项技术指标均达到国内同类产品领先水平， 并成功地应用于移动通讯整机中。 2镜象阻抗连接滤波器(IIC) 指换能器”理论。这一理论将原来的IDT标准结构变成了能陷井型；使接收换能器对发出的声 表面波极大地吸收，以达到减少双向插损的目的。其耗散公式为： TTS(dB)=21L．(dB)+12dB (1) I L．=lOLog[(N+I)／N]dB (2) H 1985年M 件的使用是要用电容及电感匹配的，而二个声表面波滤波器串联，其连接点必须和总输入输 出阻抗匹配。这一点是低插损IIC技术中必须解决的关键问题。 ·323· 纳为窬性；而当N1．5／k时，为感性。后两种情况出现时，在滤波器通带内可观察到大的波 纹；这是由丁残余电纳分鼙的影响，由上侧的镜象／DT流出的电流在连接点被反射的原冈。由 此一J了见镜象IDT的设计是极其重要的。 前先，我们对一个等插指IDT进行分析，其等效电路为：1” Y：Gu十jwG+jB (3) V)／V“ k：2(V¨I (4) …“(、1()sq—field”理论可给出： R(w)=Ru(SinX／X) (5) 由“In—Line”理论可给出： X(w)：Rn(sin2X～2X)／(2x) (6) X：N(w—wt，)／wl， (7) A=∑!!§!!鲍』! (8) 5(R+1／WC。．)／R Y=，ydv (9) c，为静态电容，w为1DT的凫频率。 在等叉指情况下，电纳公式如(8)一(9)式。在多对指情况下，可以看成是一对指的多级级 住横向做进一步分割，在电气上采用并联方式(13)～(1