室温溅射制备的α-SiCN%3aH膜的结构与光电特性研究.pdfVIP

4 G，0l即F，dmM08PhysLett，1996，B10：5研 0l即Y，WangE 5RiviemJ P，TexlerD，DelafondJ，日a／MaterLett，1995，22：115 6 W VaeSci ZhengT，自∞№nH，IvanovI，do／J Technol，1996，A14：2696 7gh,xT!almdov VaeSei A．K砒oK，DaimkeS．J Teehnol，1996，A14：2935 8 VS，Yu趼J，AI叫r丑tI】n单GAJ，d Rev，1993，P,48：17954 Veerasamy a／．Phys 9chhowallaM．AlexaMrouI．础dvC．d缸1llinSolidFilms，1996，290／291：103 G 10 KahofenR．SehaldT，W西seThinSolidFil瞄．1996，290／291：112 室温溅射制备的a．SiCN：H膜的结构 ÷ 和光电特性研究 吴现成王印月 (兰州大学物理系) 摘要本文通过光吸收谱[a(^)]、电子自旋共振谱(ESR)和电导谱研究了室温下反应溅射方法制各的氢化非晶 量(o一14％)，研究了暗电导aD、光学带隙E矿自旋密度札等随飞的变化关系，发现薄膜结构和特性受氇的明 显调制，当yM～5％左右时，膜结构和特性均有突变。我们对上述结果进行了较深入的分析。 关键词反应溅射光电特性 性好、能隙宽且在一定范围内可调、热导率和硬度高等，因而在半导体工业上有广泛的应用，该类膜可作表面 钝化层、光发射二极管、光电探测器、非晶硅太阳电池窗I：1材料，制作高温电子器件等。有意识地把碳、氮两 种元素同时掺人硅膜中，希望通过控制膜中的多元组分，可以有目的地改变膜的电导率、能隙宽、应力、硬度 等特性，制成综合有SiC、SiN膜特性的新型薄膜材料。 000 制膜的，且衬底温度在800oC以上甚至超过了1 oC。从半导体器件制备及表面钝化角度来看，低的成膜 薄膜结构、成键状态与反应气体组分的关系进行了研究【3j，结果表明，C、N元素同时进入薄膜后，膜的结构灵 敏地依赖于气体组分的变化。本文对室温下溅射a—SiCN：H膜结构及光电性能作了较为详细的分析讨论。 1实验与测量 illl／1、厚4m，距衬底～4 Ⅲ。反应室预真空度为1X10-51blr(1Torr=133．322Pa)，溅射总气压稳定在lX10～Tort，电压2kV，功率为 320W，衬底不额外加热。不同的测试需要不同衬底的样品，用于光学、电学测试的样品衬底为玻璃，用于红 外吸收测试的衬底为双面抛光的高阻硅片，电子自旋共振(EsR)测量的样品制作在高质量铝铂上，然后收集 EsR谱仪上进行。 起来制成粉末备用，测量在ER2()00一SRC *本工作受到国家自然科学基金资助。 73 2实验结果 1．1光学性质 利用Beckman 口¨=B(hv—Eopt)2 (1) Eop,和B随7 ‘ 、 B值突然变小。 ； 。’．5 ，‘，