真空反应法外延生长硅基GaN材料.pdfVIP

参考文献 l黄靖云，叶志镇SiGeJSi光电探测嚣研究进展材料科学与工程，1997；3：34 2 and Heterostructures PeopleR，Physics ofcJc,si}．水IStrained·Layer IEEE1．Quantum Applications 3AbstmiterG，EperlK．FriessE。etalSJlicordGermaniumStrainedLWSuperlatticesJCrystGrov,《h1989；95：431～438 4 H PGrowth small ofcarbon Osten E，Zaumell ofan】nvene*nagon副dJstort凸dSiGelayer叩Si(100)byaddmgammounb J，Bugicl Lett_1994：64(25)：3440 Appiphys on 5 CL·Al_tLOILiAS·Smrmj CneeffectofC8／bn thevo／encebandofferof strained Chug compressivelySiI— Lett Ge。C弗l(109)hcterjtractionApNPhys 1997：70(12)：1557 6AHlourAS．etalAppl．PhysLeft，Defect-fleeband-edgephotoluminescenceofpseudomotphicSiI 19站i67：3915 K％o气C，alloys 7BoucaudP．e【alBand-edgeanddeeplevelpho船lumm吒scenceofpseudomorphic PhysLctt，1994：64：875 Sil．、{G‰cyAppl 932 真空反应法外延生长硅基GaN材料。 卢焕明叶志镇张昊翔汪雷赵炳辉 浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027 Tel：+86．571．7951667Fax：+86．571．7951954 cducn E·mail：smlab@SUn．zju 摘要本文报道采用简便的真空反应法砬·硅(1In对底上生长出丁六方结构的GaN薄膜，并对GaN薄膜的 成分分布、结晶学性质和光学特性作了研究。外延膜表面光亮平整，无裂纹出现，二次离子质谱表明外廷 层镓和氮的分布基本均匀，氧含量比较低，x射线衍射圈潜上育～个GaN的(0002)衍射峰．其半高宽为0．5。， 7meV)。 室温下的荧光光谱在373nm处有～个很强的发光峰，其半高宽为8nm(35 关键词真宅反应法氯化镓外延 1 口I 去 l j} 百 形成的合金，其发射波长覆盖整个可见光至紫外光区，在制备蓝紫光光电子器件如光发射二 极管、激光器．探测器件f，1以及大功率高速微电子器件(2】方面具有很好的应用前景。大尺寸 GaN单晶体生长极为困难，在异质树底上外延生长GaN是研究GaN材料和器件的主要途径， GaN薄膜材料及器件得到广泛应用的仍然是衬底问题，因为蓝宝石衬底不导电，在器件工艺 中电极不容易制作。迄今，要直接在硅上获得单晶氮化镓薄膜仍比较困难p。I，因为硅衬底 与纤锌矿结构的GaN在匹配方面存在着较大的晶格失配(37．77％)和较大的热膨胀系数的失 配(41．16％)。如果G