相变存储材料Ge_1Sb_2Te_4与Ge_省略_2Sb_2Te_5薄膜的结构与.pdfVIP

59 9 20 10 9 第 卷第 期 年 月 物 理 学 报 Vol . 59 ，No . 9 ，September ，20 10 1000 -3290 / 20 10 / 59 (09 )/ 6563-06 ACTA PHYSICA SINICA 20 10 Chin . Phys. Soc . 相变存储材料Ge1 Sb2 Te4 和Ge2 Sb2 Te5 薄膜的结构和电学特性研究*  廖远宝 徐 岭 杨 菲 刘文强 刘 东 徐 骏 马忠元 陈坤基 ( ， ， ， 2 10093 ) 南京大学物理学院 南京微结构国家实验室 江苏省光电信息功能材料重点实验室 南京 (2009 12 10 ;20 10 1 24 ) 年 月 日收到 年 月 日收到修改稿 Ge Sb Te Ge Sb Te ， 、 采用射频磁控溅射方法制备了两种用于相变存储器的 1 2 4 和 2 2 5 相变薄膜材料 对其结构 电学 . X (XRD) (AFM) 输运性质和恒温下电阻随时间的变化关系进行了比较和分析 射线衍射 和原子力显微镜 的结果表 : ，Ge Sb Te ， ， 、 10 nm 明 随着退火温度的升高 1 2 4 薄膜逐步晶化 由非晶态转变为多晶态 表面出现均匀的 高度起伏小于 ; Ge Sb Te ， ， . 的突起 而对于 2 2 5 薄膜样品 其结构也从非晶态向多晶态转变 但表面形貌的变化不太明显 霍尔效应测量 ， ，Ge Sb Te Ge Sb Te ， 结果表明 无论是原始淀积的还是退火的样品 1 2 4 薄膜的载流子浓度均比 2 2 5 高三个数量级以上 由 :Ge Sb Te . Ge Sb Te Ge Sb Te 此推论 1 2 4 较高的电导主要来自其较大的载流子浓度 利用变温探针台测量了 1 2 4 和 2 2 5 在 ， Ge Sb Te ， 相变前恒温条件下电阻随时间变化关系 结果表明在相同的恒温条件下 2 2 5 电阻保持时间更长 更加有利于 数据的存储. :