耐火构件涂层的制备方法.pdfVIP

维普资讯 第35卷 第6期 表 面 技 术 VOI．35 NO．6 2006年 12月 SURFACE TECHNoLoGY Dec．2O06 目前国内外所建立的关于 CMP的理论模型，有 SRRun— 氧化厚度的形成时间是正确的 nels等人的抛光液冲蚀模 型一 、ShiFG等人的镶嵌磨粒模 型 、ZhaoYW 的表面分子／原子去除模型 等。前两者的模 3 结 论 型对于CMP抛光中的现象，只能部分吻合甚至相悖；而 ZhaoY w 的模型对于CMP抛光中的各种现象都能给出较为完满的解 在 CMP过程中，芯片表面被氧化的薄膜厚度对于CMP模 释，但由于在其模型中引入的表面分子氧化率与分子去除率这