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线上出现另一窄而明显的峰,此后熔体的电阻率开始进入一个新的单调线性变化的阶段。由
为揭示了对应不同温度区间其熔体处于不同的结构状态,即发生了温度诱导液液结构转变。这一推
测在下述的凝固试验结果中也得到了间接的验证。
此前,已有很多研究者采用了多种方法研究了AISi合金熔体结构。例如:Dahlborg¨副等人通过
小角度中子散射(SANS)和中子衍射对铝硅合金熔体的结构与温度的关系进行了研究。实验结果表
出现部分可逆,作者认为这是由于熔体加热到的最高温度比熔体发生结构转变的临界温度1580K要
低造成的。但是过共晶铝硅合金A1-20at%Si,在相同的温度区间升温后再降温过程中,几乎完全不
可逆的方式发生了变化。这是由于熔体温度超过了结构转变的临界温度1400K造成的,这时熔体已
经在冷却前达到了不可逆的均匀状态。
123K时
王伟民u副等人利用X射线衍射法对A1—14wt%Si合金熔体进行研究,发现当温度低于1
在Q=I.2A-1左右S(Q)存在一个预峰,分析认为这是Si中程有序原子团簇存在的标志。王强等人¨副
oc
保温时电阻率先逐渐上升而后达到平稳。A卜18%Si合金在750℃和850℃保温时,电阻率随保温时
间的延长先逐渐降低而后趋于平稳:在950℃保温时电阻率在一定范围内波动:而在1050℃保温时,
电阻率保持恒定。该作者分析认为铝硅合金熔化时熔体中会有大量的Al。和Si。原子团簇,A1—8%Si合
Si。原子团簇尺寸随保温时间的延长而减小并最终达到平衡:在950℃保温时原子团簇在保持尺寸
基本不变的条件下进行原子的排列,在规则与不规则瞬间转变:而于1050℃保温时熔体己处于均匀
状态,在温度恒定情况下,熔体的电阻率不再随保温时间的延长而变化。
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Temperature(℃)
图1、Al-18%Si升温过程中电阻率随温度的变化曲线
结合以上的研究结果,我们认为在以5℃向j门的速率连续升温时,从800℃到950℃时,强度较
低的电阻率变化是由Al原子团簇逐渐熔解,并且加上Si原子团簇变化前的预转变引起。而950℃
到1050℃的温度区间内,电阻率的变化则是由大的Si原子团簇开始被逐渐打破,其局部结构由规
则向不规则转变造成,熔体结构发生了不连续的转变。当温度升高到1050℃以上时,熔体中的Si原
子团簇被完全打破,电阻率与温度恢复为线性关系,表明熔体进入了一种新的结构状态。
2.2依据熔体状态进行熔体过热处理的凝固
不同的熔体状态,必然导致铝硅合金的初晶硅凝固行为及最终组织的变化,图2及图3所显示
的结果,验证了这一理论上的预测。图2表明,以第二峰之后的温度熔炼合金,其初晶硅的凝固过
冷度明显增大,揭示了凝固形核率大幅提高,而合金在950
6C熔炼的熔体凝固过冷度与760。C的无明
显差别。
75
时间,S
围2不同结构状恋f不同熔炼=度)∞Al-18QASi熔体凝固片却曲线(浇铸j度均为760c)
图3主要显示液一液结构转变对凝固过程中初晶硅的形态和大小的影响。虽然三者都是在相同的
温度700.C时浇注,并且其它实验条件都相同的情况下,却出现了不同的凝固组织。
翟豳隧
图3、AI.18%Si台金液渍结构转变前、后凝固组织(浇铸温度均为760C.凝固冷日条件:12℃/#)
由图3(A)可以看出,未经过液液结构转变的熔体凝固的760.c试样的初生相呈现为粗大、板块
状初晶硅,其定量金相初品硅平均尺寸为45
大的初品硅,其初晶硅平均尺寸为43
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