四元系PMMN压电陶瓷改性、低温烧结及叠层压电耦合器的研制 .pdf

知识水坝为您提供优质论文 知识水坝为您提供优质论文 摘 要 本文选择四元系固溶体铌镁铌锰锆钛酸铅(PMMN)，对其进行掺杂改性及低 温烧结研究，并采用低温烧结改性PMMN压电材料研制叠层压电陶瓷耦合器。 PMMN四元系压电陶瓷材料组成为： Pb(Mgl／3Nb2／3)o．04(Mni／3Nb2／3)o．04Tio．46Zro．4603 采用MgO作为掺杂改性剂，试验结果表明MgO的最佳掺杂量为0．25wt％， 此时材料具有优良的介电压电性能。1130℃烧结2小时陶瓷的性能参数为： d33=310 ． 烧结功率型压电陶瓷材料。 对改性后的PMMN四元系压电陶瓷材料添加适量的低温烧结剂CdO，Si02， 基本保持了基方的压电介电性能，且使其烧结温度降至1000℃以下，980。C烧结 4小时陶瓷的性能参数为： 作叠层压电陶瓷耦合器的材料配方为： wt％Si02 利用上述材料成功研制出三层和五层的叠层压电陶瓷耦合器。对研制成功的 叠层压电陶瓷耦合器进行基本电学性能测试，表明该耦合器具有良好的频率特 性，阻抗特性及温度稳定性，满足小型化固体继电器的要求，且装贴面积较单片 压电陶瓷耦合器明显减小，可适应表面组装技术(SMT)的需要，具有实用价值。 关键词：铌镁铌锰锆钛酸铅(PMMN)；MgO掺杂；低温烧结；叠层压电耦合器 知识水坝为您提供优质论文 Abstract The modificationand ofthesolidsolution doping low—temperaturesintering ceramics quaternarysystem Niobium-·Magnesium piezoelectric LeadZirconate that resultsshowthiskindof Titanate(PMMN)wereinvestigated．The modifiedPMMN materialssinteredat is for piezoelectric low—temperatureemployed multilayerpiezoelectriccoupler． The ofPMMN ceramicsmaterialsis compositionpiezoelectric Pb(Mgl／3Nb2／3)0．04(Mnl／3Nb2／3)o．04Ti0．46Zro．4603 waschosenasamodified resultsshowthat materials MgO dopant．The this excellent anddielectric whenthe amountof display piezoelectric properties doping isO．25 isakind sintered wt％，which materials．Main MgO ofmid-temperature