半导体超晶格材料与光电子器件的研究与发展.pdfVIP

维普资讯 敝毛{扫外 动态综连 。 半导体超晶格材料和光电子器件的研究和发展 王启 明 柱 宝勋 (中科院半导体所) 半导体超晶格精料卸以这些材将为基础匈光 电子器件是半 导体科学和技术的一个新 生长 点。 超 晶格材料是新一代半 导体材料，它为新一代光 电子器件莫定 了基础 而这些新一 代光 电子器件正是廿一世纪光 电子产业 的桉 。 半导体超 品格材料 的研 究却发展．把半导体光 电子器件 的研究和发展推进到一个崭 新 的卉『段。可 以预言，正如廿世纪是 电子产业 时甘代一样，廿一世纪必定是光 电子严业 的时代。 信息技术是高技术的一个重要领域．它已 若于倍。 经渗入人类生活和工作的各个方面，成为社会 显然，要把超 品格的概念变为现实．必须 物质文明和精神文 明的重要支柱之一。 能够套替重复生长 出多达几十层的厚度为原子 半导体技术， 即半导体材料 、器件及其集 层量级的完美晶体，其工艺难度超过了以往任 成技术，是信息技术硬件 的基础。 何半导体材料的生长，这在当时是不可能的。 近十几年来，半导体技术的一个新生长点 七十年代末，两位美籍华人科学家，即贝 最 引人注 目，这就是半导体超 品格材料和 以它 尔实验室的卓以和和 IBM 公司的张立纲，发展 为基础的光 电子器件及其集成技术。 了分子束外延 (MBE)技术 ，为超品格 材料 的生 半导体光 电子器件 及其集成 技术 的发展， 长提供了有效的手段。但是， 因为分子束外廷 标志着信息技术正在从 电子时代走向光 电子时 设备造价太高，所 以只有 贝尔实验室和 IBM公 代。可 以预言，正如廿世纪是 电子产业 的时代 司进行了趋晶格的研究工作。后来，金属有机化 一 样 ，廿一世 纪必定是光 电子产业的时代。 学汽相淀积 (MOCVD)技术 的发展，作为 MBE 超晶格材料是人工改性 (或称人工优化)的 技术 的补充，把超 品格的研究工作推 向了高潮、 新一代半导体材料 ，它为新一代光 电子器件 (例 到八十年代，超 品格已成为半导体技术 中内容 如低闭值、单频率激光器，低噪声、高增益探 最丰富、最有生 命力、最有发展前途 的生长点。 测器，低功耗 、高速率光开关)奠定 了基础，而 从超晶格中电子势能的观点来看 ，在材料 这些新一代光 电子 器件及 其集成 技术正是 廿 内部形成 了一系列周期势垒 、在每两个相邻 的 一 世纪光 电子产业的核心。 势垒之 问夹着一个势阱，其宽度可控捌在 电子 超晶格的概念是七 十年代初 由日本科学家 德布洛依波长或 电子 自由程 的量级， 因此 电子 江崎博士和美籍华人科学家朱兆祥博士提}}i来 沿垂直于周期结构方 向的运动被准定域化，即 的。所谓超 晶格，是相对于天然半导体 中的品 电子几乎被 限制在势阱之 内运动。也就是说，由 格周期而言构 。在一个村底上交替重复生长 出 于这种势阱的存在，使 电子运动的性费发生了 多达几十层的异质结构，其中每层的厚度均为 质 的变化，三维的运动变成 了二维 的运动， 即 几个或十几个原子层，形成了 一 个 新 的周期 立体的运动变成 _r