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第 27 卷 　第 9 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 9 2006 年 9 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Sep . ,2006 npn Al Ga N/ Ga N HBT 模型与特性分析 1 , 2 1 1 1 1 龚 　欣 　马 　琳 　张晓菊 　张金凤 　杨 　燕 　郝 　跃 ( 1 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 , 西安 　7 1007 1) (2 西安电子科技大学技术物理学院 , 西安 　7 1007 1) 摘要 : 基于实验数据对 GaN 材料的少子寿命和碰撞 电离率进行了建模 , 应用漂移扩散传输模型开展 了 np n Al GaN/ GaN 异质结双极晶体管的特性研究 ,给出了器件导通电压 、偏移电压和饱和电压的解析式. 结果表明:实际 器件导通电压 、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性 ,为器件的工艺制造 提供了理论指导. 关键词 : GaN ; 物理模型 ; 异质结双极晶体管 PACC : 7280 E ; 7340L 中图分类号 : TN 386 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) GaN HB T 进行了特性研究, 解释了实验与理论的 1 　引言 差异 , 为器件的工艺制造提供了理论指导. 由于具有大的禁带宽度 、高的击穿电场 、高的载 2 　器件结构及物理模型 流子饱和速度 以及强极化效应等特性 , GaN 在高 温 、高频 、高功率领域 中被广泛看好 , 而 A l GaN / 本文研究采用的 A l GaN / GaN HB T 对应文献 GaN HB T 也越来越受到人们的关注. 这是因为 :一 [ 7 ] 中器件的实际结构 , 各层的厚度 、掺杂浓度和器 ( ) 方面 , A l GaN / GaN 异质结场效应晶体管 H F E Ts 件的结构示意图如图 1 所示. 图中 p 型基区浓度 显示出的优 良特性推动了 A l GaN / GaN HB T 的发 1019 c m - 3 是指 M g 浓度 , 由于 M g 较大的电离能, 室 展; 另一方面 , 在其他 Ⅲ Ⅴ族材料体系如 GaA s 和 温下杂质不完全电离 , 因此实际的载流子浓度只有 I n P 中, HB Ts 与 H F E Ts 器件相比有一些重要的优 1017 c m - 3 量级. 模拟中器件的发射极条长软件默认 势 ,例如具有更高的跨导 、更好的线性度 、更大的电 μ μ 为 1 m ,发射极条宽分别取 10 和 05 m ,发射区台 流密度 、低的相位噪声和更好的阈值电压稳定性. 但 μ