微晶硅电池的制备及提高其效率的优化.pdfVIP

维普资讯 第 27卷 第 5期 太 阳 能 学 报 vo1．27．No．5 2006年5月 ACTAENERGIAESOI．ARISSINICA May，2OO6 微晶硅 电池的制备及提高其效率的优化 张晓丹，赵 颖，朱 锋，高艳涛，麦耀华， 魏长春，孙 建，耿新华，熊绍珍 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津 30007[) 摘 要：采用甚高频等离子体增强化学气相沉积 (VHF-PECVD)技术制备了不同硅烷浓度系列的微晶硅电池。结 果表明：电池的开路电压随着硅烷浓度的增大而逐渐增加，而电池的短路电流则先增加后减小，在转折点电池的效 率达到最大，填充因子则变化不明显；(220)择优取向出现，，()／，(1…比值大，电池的短路电流密度也大，电池的效 率也最高；在实验的范围内，电池的短路电流密度和厚度成正比例关系；首次在国内制备出了效率达 7．3％，短路电 流密度(．，)为21．7mA／cm2，开路电压 ( )为0．52V，填充因子( )为65％的微晶硅电池。 关键词：微晶硅电池 ；甚高频等离子体增强化学气相沉积；短路电流密度 中图分类号：TK514 文献标识码 ：A 率为 60MHz，而 n层 采 用 的激 励 源 是 射 频 0 引 言 (13．56MHz)。P层和 n层的电极 间距是 2．1cm，I层 微晶硅 电池已经成为 目前光伏领域研究的焦 的电极间距为2．Ocm。每个硅烷浓度系列的电池中 点 ]。同非晶硅相比微晶硅电池几乎没有 SWE问 P和n的条件都固定不变。I层的硅烷浓度 (SC= 题 ；应用在电池中也几乎不受后氧化的影响 ；而 [SiH]／[siH4+H2])变化范围为2％一6％，此系列中 且微晶硅 的光谱吸收特性与非晶硅有一定的互补 功率为 12W，气压为90Pa，气体流量为 150SCCM。另 性，应用于叠层电池中可以获得更高效率的电池。 一 个系列中的功率为20w，气压为65Pa，气体流量为 目前玻璃衬底上制备的单结 p／i／n型微晶硅 电 100SCCM。而且两个系列的另一个重要区别是：前 池最高效率是2004年第 l9届欧洲光伏会议所报导 电极 ，系列 1选择的是 sn02／ZnO复合膜，而系列2选 的9．8％的效率 J，国内在微晶硅材料方面的研究也 择的是湿法腐蚀的ZnO。 在逐步的深入 ，微晶硅电池方面也取得 了一些 电池是p／i／n型，其 卜一 特性测试所用光强为 初步成果 』。 AMI．5(100mW／cm2)。样品的x一射线衍射测试所用 本文在确定优化的工艺参数范围内，通过改变 设备是 PANalgticalX’PertPRO。电池的厚度通过 硅烷浓度制备了两个系列的电池，对 电池进行了光 xp一2台阶仪测试。 态和暗态的I～v特性测试。并对电池的结构进行 2 结果与讨论 了x—rav衍射测试分析。文中详细地对实验结果进 行了分析。 图1给出了两个不同硅烷浓度 (本征 I层)系列 制备微晶硅电池的各个性能参数。从图中可以看出 1 实 验 随着工艺条件的变化，电池的各个性能参数发生了 实验中所有电池都是在我们新研制的多功能沉 不同规律的变化。 积系统(clustertoo1)中制备。实验的本底真空维持在 首先关注一下开路电压。根据以前工艺条件的 5．0×10