硅中层错带中空位电子态.pdfVIP

　第 19 卷第 3 期　　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　 . 19, . 3　 V o l N o 　1998 年 3 月　　　　　　 　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ar 硅中层错带中空位的电子态 王永良 ( 中国科学院半导体研究所　表面物理国家重点实验室　北京　100083) . S M ark lund (瑞典 大学物理系) L ulea 摘要　计算了硅中带状层错中的空位电子态, 所使用的R ecursion 方法是建立在原子轨道线 性组合法的基础上, 考虑了 s- p - , d - 型十个原子轨道. 用L anczo s 法得到了带隙及带连续态中 的电子态, 局域态密度是用连续连分数来表示的. 硅中理想空位的三重简并态分裂为三个能 级. 从价态顶算起, 它们的能量分别为- 0. 3, 0. 3, 1. 7eV. 价带顶之上 0. 3eV 的带隙态同纯层 错中发现的电子态相似, 但局域态密度要高一些. 价带顶之上 1. 7eV 的在导带中的电子态是 一个强共振态. 价带顶之下 0. 3eV 的价带中的电子态则是一个弱共振态. PACC: 7155 1　引言 随着半导体材料工艺及器件技术的发展, 出现了各种结构复杂的材料及器件. 其中典型 的就是用 技术制造的多层结构的 及 超晶格材料. 它们在半导体光 M BE Si Ge GaA l1x A sx 电子器件中得到了广泛地应用. 随着半导体材料及器件结构的复杂化, 半导体中起重要作用 的杂质及缺陷的结构以及它们所处的环境也变得复杂了. 在通常的体材料中经常出现的是 简单的点缺陷, 而在超晶格材料中, 由于层间应力的作用, 常常出现的是位错及层错这样的 大型缺陷. 与这些结构缺陷相结合的杂质或空位则处于非常复杂的环境, 表现出许多独特的 物理特性. 结构复杂并处于复杂环境中的杂质及缺陷对缺陷物理理论提出了挑战. 以前传统的缺 陷物理中的理论方法已不适用于处理这类复杂的问题了. 七十年代出现的 R ecu rsion 方 　 国家自然科学基金资助项目 王永良　男, 1940 年出生, 於 1987 及 1989 年在瑞典林雪平大学分获瑞典大学博士学位及瑞典国家博士学位. 长期 从事半导体理论研究, 近十年来集中力量研究半导体中的位错, 层错等大型缺陷. 收到,定稿 162 　　　　　　　　　　　　　　　半　导　体　学　报　 19 卷 [ 1 ] 法 在处理这种复杂问题上出现了巨大的潜力, 并已在近几年中被成功地应用到处理位错 [ 2～ 6 ] 及层错这样的大型缺陷中 . 我们应用这种方法第一次成功地处理了位错核中 空位所产 [ 7 ] 生的能级 , 并指出位错样品中出现的束缚态很可能与位错核中的空位有关. 本文要处理的问题是: 层错中的空位产生的