SiO2增加铝合金交流A—TIG焊熔深的机理.pdfVIP

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金属学与金属工艺

维普资讯 维普资讯 维普资讯 第 1期 黄 勇,等:Si02增加铝合金交流A.TIC,焊熔深的机理 47 端角度45。。从图4可以看出,随着间隙 的减小, 焊接电弧形貌分别如图5所示,焊缝和电弧明显偏 焊缝偏向无活性剂一侧的程度逐渐增大。当间隙为 向无活性剂一侧。这表明,涂敷 si02使得电弧导电 0irlln时,焊缝偏移率p达到55%,焊缝表面成形和 通道 电阻增加,而且所附加的导 电通道 电阻随着 问 (a)焊缝表面 (b)电弧形貌 (无活性剂) (c)电弧形貌 (sio:) 图5 SiO2对焊缝表面成形和 电弧形貌的影响{间隙 x=0mm) Fig.5 EffectsofSi02onweldsurfaceappearance andarcprofile{x=0mm) 隙的减少而增大。 大值 。这表明随着 Si0’涂敷量增加,导电通道 电阻 2.2.3 活性剂涂敷量对熔深的影响 先增加后减小。 图6为焊缝熔深和电压随活性剂涂敷量的变化 2.2.4 弧长变化 时活性剂对 电弧 电压的影响 情况,焊接工艺参数为焊接 电流 140A,焊接速度 电弧分为极性区和弧柱区,通过改变弧长,对弧 125mm/min,弧长 3inln,氩气流量 12L/rain,钨极直 长一电弧电压关系进行直线拟合,所得直线在纵坐 径 3.2irlln,钨极尖端角度 45。。可以看 出,随着 Si01 标轴上的截距即为极性区电压降,直线斜率即为弧 涂敷量增加,熔深和电压变化趋势相同,都是先增加 柱区电位梯度。比较无活性剂和有活性剂时的极性 后减小,涂敷量为 5.3mg/cm 时熔深和电压达到最 区电压降和弧柱区电位梯度就可以分析涂敷 SiO1 对极性区和弧柱 区导 电通道电阻的影响,确定活性 剂影响TIC,电弧的方式。当焊接工艺参数为焊接电 流 140A,焊接速度 12:5ram/rain,氩气流量 12L/min, 钨极直径 3.2nlln,钨极尖端角度45。,弧长变化时 量 SiO1对电弧电压的影响如图7所示。 竣 可以看出,涂敷 SiO,后电弧电压升高了。无活 性剂时,极性区电压降为 10.6V,弧柱区电位梯度为 1.5V/ram;有活性剂时,极性区电压降为 17.1V,弧 活性剂涂量 w/(mg·em。) 柱区电位梯度为 0.7V/ram。涂敷 Si0’使得极性区 (a)熔深 电压降升高了6.5V,而弧柱区电位梯度低于无活 性剂时的一半,这表 明涂敷 SiO,增加 了极性区,主 要是阳极区导电通道电阻而减小了弧柱区导电通道 电阻,即SiO’使得焊接 电弧的阳性区收缩,弧柱区 扩展。 2.2.5

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