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双极性器件物理 Physics of Semiconductor Devices 第四讲 1-2 平衡pn Junction 定量分析 一．平衡pn 结能带图 1. 预备知识： （1）单个n 型半导体和p 型半导体的能带图 （2 ）关于费米能级EF 的重要结论：平衡系统具有统一费米能级  kT dn  dEF J e nE   n E 0 n n   n  e dx  dx 说明：在研究不同半导体相互连接（如pn 结）或同一半导体各处不均匀（如半导体表面） 问题时，能带图，特别是费米能级的概念是特别有用的，这是因为在这样的问题中，费米能 级的高低直接决定电子的流动和平衡。令一方面，能带图所包含的信息与半导体内的静电场 （电势）有关。（能带图是由电子的能级构成的，能级的高低反映电子能量的大小） （3）能带与电场 E 从电势、电场考虑：  i q dE d 对上式求导，得到： i q qE dx dx 注：能带图所包含的信息与半导体内的静电场（电势）有关，当半导体内存在电场时，会引 起能带随空间位置的变化（称为能带的弯曲） 2. pn 绘制平衡条件下 结能带图的步骤 （1）单个系统的能带图 （2 ）具有统一的不随着位置变化的费米能级（即在能带图中费米能级是一条水平直线） （3 ）在空间电荷区能带发生弯曲 * 电子和空穴的转移在结的两侧留下电离的施主和受主杂质，形成空间电荷区，使得N 区和P 区存在电势差。即内建电 势（Built-in potential barrier ）；由于存在电势差，p 区与n 区的电 势能救不一样。 双极性器件物理 Physics of Semiconductor Devices V 二. 内建电势( Built-in potential barrier) bi 热平衡态下pn 结的能带图 1. V 突变结 计算表达式 bi （1）公式推导 方法一： 从能带图上来看，接触电势差由原来两边的费米能级之差决定。 E E nn 0 Nc exp( c Fn ) kT E E E E N c exp( c Fi Fi Fn )