流体静压力下窄势垒GaAsAlAs超晶格低温纵向输运.pdfVIP

　第 20 卷第 4 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 4　 V o l N o 　1999 年 4 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A p r 流体静压力下窄势垒 GaA s A lA s 超晶格的低温纵向输运 1 2 1 1 武建青 　刘振兴 　江德生 　孙宝权 ( 1 半导体超晶格国家重点实验室　中国科学院半导体研究所　北京　100083) (2 中国科学院物理研究所　北京　100080) 摘要　 我们研究了 77 温度下掺杂弱耦合 窄垒超晶格在流体静压力下的垂直输 K GaA s A lA s 运, 发现其输运性质与宽垒超晶格有很大不同. 当在压力下A lA s 垒层中的X 基态子能级降至 子能级和 子能级中间或更低能量位置时, 未观察到 共振隧穿到 共振隧穿的转 E 1 E 2 X 变, 曲线上的平台并未随压力增大而收缩, 反而稍有变宽. 同时, 平台电流随压力增大而 I V 增加, 直到与 共振峰电流相当. 我们认为, 由于垒层很薄, 电子隧穿通过垒层的几率 E 1 E 1 很高, 共振峰显著高于 共振峰, 因此, 高场畴区内的输运机制在压力下仍由 E 1 E 1 E 1 E x 1 级联共振隧穿控制. 但由于 子能级随压力升高而降低, 导致隧穿通过 垒的几率增加, 非 X X 共振背景电流增大. 由于电流连续性条件的要求, 高场区的电场强度增强, 导致在高压力下平 台宽度随压力稍微变宽. : 7320, 7220 , 7340 PACC H G 1　引言 X 能谷对低维结构和超晶格的输运性质有很大影响. 流体静压力能显著地改变A lA s 和 GaA s 材料中X 谷相对于 谷的能量位置, 因此, 通过压力实验能够很容易的观察到X 能谷不同能量位置对输运的影响. 在研究压力对双势垒输运的影响时发现, 由 共振隧 穿引起的负阻会被压力抑制[ 1～ 4, 11 ]. 弱耦合掺杂超晶格的输运是通过级联共振隧穿实现的, 外加偏压在超晶格内将导致高低电场畴的形成[ 6, 7 ] , 并由于畴边界的移动, 在 曲线上产