FeSi薄膜中硅化物的形成和氧化.pdfVIP

第22卷第3期 材 料 研 究 学 报 Vbl．22No．6 2 OFMATERIALSRESEARCH June2008 008年6月 CHINESEJOURNAL Fe／Si薄膜中硅化物的形成和氧化半 张晋敏谢泉梁艳曾武贤 (贵州大学新型光电子材料与技术研究所，贵州大学电子科学与信息技术学院贵阳550025) 摘要 用磁控溅射方法制备Fe／Si薄膜，采用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了退火过程中的相变过程和氧化．结果表明：未 K退火后，界面附近Fe、si原子开始相互扩散，973K退火后富金属相Fel+。Si形成，而 退火的Fe／Si薄膜界面清晰，873 1073 K退火后形成中间相FbSi，当温度增加至1273K后所有硅化物完全转变为富硅相FeSi2，即随退火温度的升高，Fe、Si 原子间扩散增强，从而形成不同化学计量比的B卜Si化合物，且薄膜中易迁移原子种类由Fb变为Si．同时，质于束RBS和 XRD测量结果显示，在未退火及低温退火的样品中，薄膜有氧化现象，随退火温度增加，由于高温F金属氧化物被还原并逐渐挥 发，样品中氧的含量逐渐减少最后完全消失． 关键词 无机非金属材料，半导体材料，原子扩散，卢瑟福背散射，Fe-Si化合物 分类号TM23 文章编号1005-3093(2008)03-0297-06 Formationofsilicidesandoxidationforthe Fe／Silayers ZHANGJinminXIE YanZENGWuxian Quan”LIANG theNe伽Photo．electronicMatenalsand (Instituteol Technology， Scienceand CollegeD，Electronic InformationTechnology，GuizhouUniversity，Guiyang5500e5) NationalNatureScienceFoundtionofChinaNo．6056601．andthe Foundation 木Supportedby Ph．D．Programs International Research of of ofEducationofChina．No．20050657003．the Program Ministry Cooperation Scienceand OfficeinGuizhou the Technology Province，China，No．G(2005)400102，andExchangeProgram for betweenChinaandCroatiaofChain Council Scholarship 2006．2007，NO．1200613042； received revisedformNovember ManuscriptJuly5，2007；in