GMR模拟传感器的磁电转换特性测量.pdfVIP

巨磁电阻效应 ――GMR模拟传感器的磁电转换特性测量 【实验目的】 1. 掌握 GMR效应的定义； 2. 了解 GMR效应的原理； 3. 熟悉 GMR模拟传感器的构成； 4. 测量 GMR模拟传感器的磁电转换特性曲线。 【实验仪器】 ZKY-JCZ 巨磁电阻效应及应用实验仪、基本特性组件、导线 【实验原理】 一、巨磁电阻效应定义及发展过程 1、定义 2007年 10 月，科学界的最高盛典—瑞典皇家科学院颁发的诺贝尔奖揭晓了。本年度，法国 科学家阿尔贝·费尔(Albert Fert)和德国科学家彼得 ·格林贝格尔(Peter Grunberg)因分别独 立发现巨磁阻效应而共同获得 2007年诺贝尔物理学奖。瑞典皇家科学院在评价这项成就时表示， 今年的诺贝尔物理学奖主要奖励“用于读取硬盘数据的技术，得益于这项技术，硬盘在近年来迅 速变得越来越小”。 巨磁阻到底是什么？ 诺贝尔评委会主席佩尔·卡尔松用比较通俗的语言解答了这个问题。他用两张图片的对比说 明了巨磁阻的重大意义：一台 1954 年体积占满整间屋子的电脑，和一个如今非常普通、手掌般 大小的硬盘。正因为有了这两位科学家的发现，单位面积介质存储的信息量才得以大幅度提升。 目前，根据该效应开发的小型大容量硬盘已得到了广泛的应用。 “巨磁电阻”效应（GMR，Giant Magneto Resistance)是指磁性材料的电阻率在有外磁场作 用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。也就是说，非常弱小的磁性变化就能导致巨大电 阻变化的特殊效应，变化的幅度比通常磁性金属与合金材料的磁电阻数值高 10 余倍。 2、发展过程 人们早就知道过渡金属铁、钴、镍能够出现铁磁性 有序状态。量子力学出现后，德国科学家海森伯(W. Heisenberg)明确提出铁磁性有序状态源于铁磁性原子 磁矩之间的量子力学交换作用，这个交换作用是短程 的，称为直接交换作用。后来发现很多的过渡金属和稀 土金属的化合物具有反铁磁(或亚铁磁)有序状态，化合 物中的氧离子(或其他非金属离子)作为中介，将最近的 磁性原子的磁矩耦合起来，这是间接交换作用。直接交 换作用的特征长度为0.1-0.3nm，间接交换作用可以长 达1nm以上。1nm已经是实验室中人工微结构材料可以实 图1（Fe/Cr）n多层膜的GMR 效应特性曲线 现的尺度，所以1970年之后，科学家就探索人工微结构 中的磁性交换作用。 1988 年法国的 M.N.Baibich 等人在美国物理学会主办的 Physical Review Letters 上发表 了有关 Fe/Cr 巨磁电阻效应的著名论文，首次报告了采用分子外延生长工艺（MBE）制成 Fe(100)/Cr(100)规则型点阵多层膜结构。在这种（Fe/Cr）n 结构中，Fe 为强铁磁性金属，Cr 为反铁磁性金属，n 为 Fe 和 Cr 的总层数。它是采用 MBE 工艺将 Fe(100)/Cr(100)生长在 GaAs 芯片上，其工艺条件是，保持 MBE 室内剩余压力为 6.7×10-9Pa，芯片温度 20℃，淀积速率：对 于 Fe 为 0.06nm/s；对于 Cr 为 0.1nm/s。它们每层的厚度约（0.9～9）nm，通常为 30 层。为获 得上述淀积速率，还专门设计了坩埚蒸发器。经实验发现，当 Cr 的厚度小于（0.9～3）nm 时， 它与 Fe 层之间偶合的一个反向铁磁特性（AF）的磁滞回线斜率逐渐增大。图 1 显示了 Fe 层为 3nm，Cr 层分别为 0.9nm、1.2nm 和1.8nm，磁感应强度 B 在±2T 范围内，热力学温度 T=4.2K， n=30、35、60 时，3 个不同样本的特性。随着 Cr 厚度的增加和总层数的降低，Δr/r也升高， 而且高斯磁场强度 B 越弱，Δr/r 越高，当 B≈2T 时，[Fe(3nm)/Cr(0.9nm)] 膜的Δr/r 可达 60 50%以上。实验还发现，即使温度升至室温，B 降低了 30%Δr/r 也可达到低温值的一半，这一结 论具有十分大的实用价值。 就在此前3个月，德国尤利希科研中心的物理学家彼得·格伦贝格尔( Peter