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张心强 等 :纳米硅薄膜制备及 H IT 太阳能电池 1741
纳米硅薄膜制备及 H I T 太阳能电池
1 1 1 1 1 2
张心强 , 张维佳 ,武美伶 , 贾士亮 , 刘 浩 ,李国华
( 1. 北京航空航天大学 理学院凝聚态物理与材料物理研究中心 ,北京 100083 ;
2 . 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室 ,北京 100083)
( )
摘 要 : 在较高工作气压 332 . 5～399 Pa 下 ,采用等
2 沉积机理
( )
离子增强化学气相沉积 P ECVD 工艺制备了优质的
本征纳米硅薄膜及掺磷的纳米硅薄膜 ,并采用 X 射线 高氢稀释的 Si H4 生长纳米硅薄膜的热力学反应
( ) ( ) ( ) [9 ]
衍射 XRD 、拉曼散射 Raman 测试技术对其进行了 方程式 1 为 :
测试和分析 。结果表明纳米硅薄膜的 XRD 谱中存在 等离子体 r1 4
( ) ( ) ( )
Si H4 Si H4 气 Si 固 + H m 气
r
( ) ( ) ( ) 2 m
111 、220 和 33 1 峰位 ; Raman 谱中显示出其薄膜
( )
( ) 1
中的晶粒的大小 2 ～5nm 符合纳米晶的要求 。将制
上式中 r 、r 表示两个反应方向的化学反应速率 ,
备的纳米硅薄膜初步用于栅极/ I TO/ nncSi ∶H/ inc 1 2
( ) 1 表示的是由气相到固相的成膜过程 ,2 表示反应基在
Si ∶H/ pcSi/ Al/ A g 结构的异质结 H I T 太阳能电
( ) ( ) 衬底上化学反应的逆过程 , 即腐蚀过程 ———等离子体
池 ,开路电压 Voc 达 404mV ,短路电流密度 J
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