第1章 常用的半导体器件.ppt

1.2.1 二极管的结构 1.2.2 二极管的伏安特性及电路模型 1.4.1 三极管的基本结构及类型 【例1.4.1】测得工作在放大电路中两个晶体管管脚对地的电位分别如下表所列。试判断管型、电极及所用材料。 1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线 －2 －2.3 －6 电位（V） +12 +3.6 +4.2 电位（V） 3 2 1 管脚 3 2 1 管脚 晶体管1 晶体管2 （1）晶体管1中，3脚电位最高，它是集电极C，且为NPN型管。1脚和2脚之间的电压为0.6V，可确定1脚是基极、2脚是发射极，且为硅管。 （2）晶体管2中，1脚电位最低，它是集电极C，且为PNP型管。2脚和3脚之间的电压为0.3V，可确定2脚是基极、3脚是发射极，且为锗管。 【例1.4.2】在图1.4.6中，给出了实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是硅管还是锗管？处于哪种工作状态？ 1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线 （a) (b) (c) 图1.4.6 例1.4.2图 （1）在（a）图中，晶体管为NPN型。因为UBE=0.7V，发射结正偏，为硅管。又因为VB＞VC，集电结也正偏，故工作在饱和状态。 【例1.4.2】在图1.4.6中，给出了实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是硅管还是锗管？处于哪种工作状态？ 1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线 （a) (b) (c) 图1.4.6 例1.4.2图 （2）在（b）图中，晶体管为NPN型。因为UBE=0.3V，发射结正偏，为锗管。又因为VB＜VC，集电结反偏，故工作在放大状态。 【例1.4.2】在图1.4.6中，给出了实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是硅管还是锗管？处于哪种工作状态？ 1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线 （a) (b) (c) 图1.4.6 例1.4.2图 （3）在（c）图中，晶体管为PNP型。因为UBE＝＋0.6－0＝＋0.6V，发射结反偏（PNP型），又因为VB＞VC ，集电结也反偏，故工作在截止状态。此时无法判别是硅管还是锗管。 ICEO=(1+β)ICBO （2）交流电流放大系数β=△IC / △IB （1）直流电流放大系数β=IC / IB 1.电流放大系数 （1）集电极基极间反向饱和电流 ICBO （2）集电极发射极间穿透电流 ICEO 2. 极间反向饱和电流 1.4.4 晶体三极管的主要参数 1.4.4 晶体三极管的主要参数 4.温度对三极管参数的影响 3.极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM （2）集电极最大允许耗散功率PCM （3）集电极击穿电压U(BR)CEO （1）对IEBO 、ICBO的影响——温度每升高10℃，ICBO增大一倍。 （2）对β的影响——温度每升高1℃，β增加0.5%~1.0%左右 （3）对发射结导通电压UBE的影响——温度每升高1℃，│UBE│ 减小2~2.5 mV。 晶体三极管（BJT）是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与导电，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 1.5 场效应管 场效应管分类 1.5 场效应管 * * 第1章 常用半导体器件 1.1 PN结 光敏性：当收到光照时，导电能力明显变化。 参杂性：往纯净的半导体中参入某种杂质，导电能力明显 改变。 1.1.1半导体的导电特性 1.半导体的特点 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。 2、本征半导体 本征半导体——纯净的、不含其他杂质的半导体 本征半导体的导电能力很