基本放大电路3.pptVIP

1．本征半导体电子浓度（ ）空穴浓度；N 型半导体的电子浓度（ ）空穴浓度；P 型半导体的电子浓度（ ）空穴浓度。 a：大于；b：小于；c：等于。 2．场效应管属于（ ）控制型器件，晶体三极管则属于（ ）控制器件。 a：电压；b：电流；c：电感；d：电容。 3．晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结（ ）偏置；集电结（ ）偏置。 a：正向；b：反向；c：零向；d：随便。 4．二极管的最主要特性是（ ），它的两个主要参数是反映正向特性的（ ）和反映反向特性的（ ）。 a： 单向导电性； b：平均整流电流；c：反向工作电压。 5．一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若它的工作电压UCE=10V，则工作电流IC 不得超过（ ）mA；若工作电压UCE==1V，则工作电流Ic 不得超过（ ）mA；若工作电流Ic=1mA，则工作电压UCE 不得超过（ ）V。 a ：15； b ：100； c： 30； d： 150。 6．并联反馈的反馈量以（ ）形式馈入输入回路，和输入（ ）相比较而产生净输入量。 a:电压 b:电流 c:电压或电流 7．正弦波振荡器的振荡频率由（ ）而定。 a:基本放大器 b:反馈网络 c:选频网络 8．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 a：杂质浓度；b：温度；c：输入；d：电压。 9．单相桥式整流电容滤波电路中，若U2=10V，则UO=（ ）V，若负载流过电流IO，则每只整流管中电流ID 为（ ），承受最高反向电压为（ ）。 a：9V b：10v c：12V d：IO 10．电压负反馈可稳定输出（ ），串联负反馈可使（ ）提高。 a：电压 b：电流 c：输入电阻 d：输出电阻 11．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）。 a:稳压二极管与负载电阻串联 b:稳压二极管与负载电阻并联。 C:限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联 12．共模抑制比KCMR 是（ ）之比。 a：差模输入信号与共模成分 b：输出量中差模成分与共模成分 c：差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）。 13．输入失调电压UIO 是（ ）。 a：两个输入端电压之差 b：输入端都为零时的输出电压 c：输出端为零时输入端的等效补偿电压。 14．抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（ ）电路。 a：差放；b：正弦；c：数字 15．正弦波振荡电路的振荡条件是（ ）。 a：AF=1 b：AF=-1 c：AF1 16．产生低频正弦波一般可用（ ）振荡电路；产生高频正弦波可用（ ）振荡电路；要求频率稳定性很高，则可用（ ）振荡电路 。 a：石英晶体；b ：LC；c ：RC。 判断下面电路中R F1 和R F2 引入的是何种反馈类型？ 判断下面电路能否发生自激振荡？如能振荡，写出振荡频率 已知电路如图，ui =10sinW t v,Ε =5v,二极管正向导通电压忽略不计，试画出输出电压 uo 的波形。 1．本征半导体电子浓度（ c ）空穴浓度；N型半导体的电子浓度（ a ）空穴浓度；P型半导体的电子浓度（ b ）空穴浓度。 a：大于；b：小于；c：等于。 2．场效应管属于（ a ）控制型器件，晶体三极管则属于（ b ）控制器件。 a：电压；b：电流；c：电感；d：电容。 3．晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结（ a ）偏置；集电结（ b ）偏置。 a：正向；b：反向；c：零向；d：随便。 4．二极管的最主要特性是（ a ），它的两个主要参数是反映正向特性的（b ）和反映反向特性的（ c ）。 a： 单向导电性； b：平均整流电流；c：反向工作电压。 5．并联反馈的反馈量以（b　　）形式馈入输入回路，和输入（　b ）相比较而产生净输入量。 a:电压　　b:电流　　c:电压或电流 6．正弦波振荡器的振荡频率由（　c　　　）而定。 a:基本放大器　b:反馈网络　c:选频网络 7．共集电极放大电路与共发射极放大电路相比，其输入电阻（ a ）输出电阻（ b ） a：高；b：低；c：无法比较；d：由具体电路确定 8．变压器耦合功率放大器，甲类电路效率（ a ），只适用于（ c ）输出，乙类推挽电路效率（ b ），可输出（ d ） a : 较低；b :较高 c : 较小功率 ； d :较大功率 9．单相桥式整流电容滤波电路中，若U2=10V，则UO=（ c ）V，若负载流过电流