ARM与不同位宽存储器的地址线错位接口,外部总线接口深入.docVIP

ARM是32位，地址空间是2的32次幂，4G地址空间。所有的外设（FLASH,RAM,SD卡等等）都映射到这4G的空间上。比如大部分 ARM7都把RAM映射到0所以对RAM的操作就在0始的地址上。FLASH从0X0开始。使用FLASH还要 考虑地址重映射，就是选择片内FLASH或片外FLASH。?? FLASH一般是8位或16位，当它接到32位的ARM上时，地址位就会错位。对于16位FLASH，FLASH的A0要接ARM的A1。对于8位 FLASH，FLASH的A0要接ARM的A0。ARM的A0对应8位，ARM的A1对应16位，ARM的A2对应32位，如果FLASH是32位，那么FLASH的A0接ARM的A2 ? 32位的FLASH，FLASH的A0要接ARM的A2，因为32位地址表示4个字节，每次要跳4个字节的话，那么就是从A2开始才变化，A1 A0不变化 ? 16位的FLASH，FLASH的A0要接ARM的A1，因为16位地址表示2个字节，每次要跳2个字节的话，那么就是从A1开始才变化，A0不变化 ? 8位的FLASH，FLASH的A0要接ARM的A0，因为8位地址表示1个字节，每次要跳1个字节的话，那么就是从A0开始才变化。? ???? 对于 16位的FLASH ，我们可以这样认为：16位存储器的设计者将低位A[0]省掉了，我们只要读取一次就可以得到两个字节，读取的 这个地址对应于ARM发出的地址的A[21..1]，即实际上是存储器需要的偶地址（偶地址是针对ARM发出的地址而言的）。 ???? ???? LPC2200，S3C2410A,S3C2440等都是上述这样的，当然也有不同的。 ? ??? IMX27和BF537这两款CPU都是不管存储器是多少位的的,都是直接A0-B0,没有任何考虑错位的情况，是因为他们的存储控制器已经内部作了处理 ? 了,三星的如S3C2443\S3C2450\S3C6410等后续的也都是这样子了 ??? 再来看看外部总线配置EMC和外部总线功能引脚的关系： ??? OE：输出使能 OUT EABLE??? WE：WRITE EABLE 写入使能 ??? CE：chip EABLE 片选? ??? ALE：地址锁存使能（ADRESS LOCK EABLE） ??? BLS：字节选择信号 ??? 重点看 WE? BLS 的关系 ??? ??? 在LPC2200系列ARM中，为了适应外部存储器组的宽度和类型，EMC提供了一组字节选择信号，要实现这些功能，需要对相应存储器配置寄存器中的RBLE位进行设定。??? 对外部存储器组进行写访问时，RBLE位决定WE信号是否有效；??? 对外部存储器组进行读访问时，RBLE位决定BLSn信号是否有效。 ? ??? 外部存储器的接口取决于存储器组的宽度（32位、16位、8位，由BCFG的MW位决定）。而且，存储器芯片的选择也需要对BCFG寄存器的RBLE位进 行适当的设置。选择8位或者不按字节区分的的存储器的时候，RBLE位应该为0，在读访问期间EMC将BLS[3:0]拉高。当存储器组为含有字节选择选 择输入的16位或32位存储器组成的时候，RBLE位应该为1，在读访问期间EMC将BLS[3:0]拉低。注意这里没有对RBLE为0或1的时候，写访 问期间BLS[3:0]引脚的电平作出交代。 ??? 以16位宽的存储器组连接16位的存储器芯片为例（这种情况比较常见，周立功的easyarm2200就是这样的）。很显然这里RBLE位应该为1。BLS[1]、 BLS[0]分别接到了存储器芯片的UB、LB脚。作为16位的存储器芯片，要取得16位宽度的字，无论是读访问还是写访问，UB和LB位都必须为低电平 0。作为16位的ram，程序中不可避免的存在对它的写操作。程序能正常运行就说明对它的写操作是成功的。可以进一步推断在写访问期间，BLS[1] 、BLS[0]是低电平的。当存储器组为含有字节选择选择输入的16位或32位存储器组成的时候，RBLE位应该为1，在读访问期间EMC将 BLS[3:0]拉低。在写访问周期EMC同样是将BLS[3:0]拉低。这种操作也符合使用8位单片机时候的习惯，WR扮演了“写”的角色。??? ???? 下面是32位宽的存储器组连接8位的存储器芯片，很显然这里RBLE位应该为0。网友wag提出这样的问题，能否用ARM的WE引脚直接连接到存储器芯片的WE引脚。有这样的问题可能是源于以前的习惯，也可能是不清楚RBLE位为0时，写访问期间BLS[3:0]引脚的状态。LPC2210/2220 User Manual 上面介绍了RBLE＝0的时候的读写情况。EMC的WE信号没有被使用。在写周