第一章 p-n结黑白.ppt

第一章 p-n结 p-n结是同一块半导体中p型区与n型区交界面及其两侧很薄的过渡区 p-n结是众多半导体器件的核心部分 § 1.1 p—n结的形成及平衡状态 1、p-n结的形成与杂质分布 2、p-n结空间电荷区 3、p-n结的能带图 4、平衡p-n结势垒区电场 5、平衡p-n结势垒高度 6、平衡p-n结的载流子浓度分布 正向p-n结中电流成分的转换即少子扩散电流转换为多子复合电流的过程 通过p-n结的总电流是恒定的，但各处的电流成分不同 势垒区：两种电流成分，均保持不变（近似），注入的电子电流和空穴电流 扩散区：两种电流成分，相互转换，少子扩散电流转换为多子复合电流 中性区：一种电流成分，多子电流，包括注入电流和复合电流 正向时，势垒区和扩散区形成复合电流，反向时，形成势垒产生电流。 势垒产生电流IG正比于ni，扩散电流ID正比于ni2，ni越小，IG相对ID越大 室温下，硅结IG以为主，锗结IRD以为主 锗结ni较大，故其I-V特性饱和，而硅结不饱和 随温度升高，ni增大，故反向饱和电流（扩散电流）随温度升高而增加更快 三、温度对p-n结电流、电压的影响 1 对反向饱和电流的影响 2 对势垒产生电流的影响 3 对正向电流的影响 4 对p-n结电压的影响 p-n结形状的影响 p-n结端面形状的影响 高阻层厚度的影响 表面状态的影响 其它因素的影响 p-n