半开放气体循环方式制备化学气相沉积金刚石膜.pdfVIP

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金属学与金属工艺

维普资讯 2008年4月 金刚百与磨料磨具工程 Apr.2008 总第 164期 第2期 Diamond& AbrasivesEngineering Seria1.146 No.2 文章编号:1006—852Xf2008)02—0046—03 半开放气体循环方式制备化学气相沉积金刚石膜 刘秀军 孙振路 何奇宇 吴晓波 胡红彦 高 亮 (河北省激光研究所,河北 石家庄 050081) 摘 要 直流电弧等离子喷射化学气相沉积金刚石膜是一种先进的人工合成技术.其成膜面积大,均匀 性好,质量高,沉积速率快,产业化前景非常广阔。但在其生产过程中,所需要的气体消耗量很大,生产 成本较高,在相当程度上制约了生产规模的进一步扩大 经过分析和实验,发现沉积系统所使用的各类 气体中,用量最大、价格最昂贵的氢气和氩气在整个沉积过程的前后并没有发生任何变化。如果措施得 当,经回收利用后可以大幅降低生产成本。针对这个问题 ,我们设计 了一种半开放式气体循环沉积系统 并 已经投入生产应用,与开放式沉积系统相比,其气体消耗量减少了80%,显著降低了金刚石膜的生产 成本,所制备的高质量 CVD金刚石膜,热导率可迭20W/(enl·K)以上,磨耗比可达40万以上,工业级 别CVD金刚石膜 ,根据产品的不同要求,生产速率可达 l0~25 m ·h一,自支撑膜厚度为300~3000 txm,大大促进 了人造金刚石膜的大规模产业化发展 。 关键词 直流电弧等离子喷射法;化学气相沉积;气体循环;生产成本;气体消耗量 中图分类号 TQ164 文献标识码 A PreparationofCVD diamondbysemi-openedcyclegasmethod LiuXiujun SunZhenlu HeQiyu WuXiaobo HuHongyan GaoLiang (HebeiInstituteofLaser,Shijiazhuang050081,China.) Abstract Chemicalvapm’depositiondiamondfilm byDC arcplasmamethodisanadvancedandpromising syntheti、·technology.High—qualitydiamondfilm in largeareaandgooduniformitycanbepreparedathigh depositionr:Ilebythisway.Butillitsproductionprocess.thegreatgasconsumptionmakeshighproduction costan(1restli(’tsflutherexpansionoftheproductionscale.Throughanalysisandexperiments.itisfnundthat amongallkindsofgasHsedbydepositionsystems。hydrogenandargonwhiel1arethemostlyconsumedandthe mostexper|sivedidn tundergoany changeduringthewholeproductionprocess.With propermeans,thegas shouldberecycledtosubstantiallyreducethecoslofproduction.Tosolvethisproblem,wedesignedasemi.

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