控制自发成核生长大颗粒立方氮化硼晶体.pdfVIP

维普资讯 2003年 8月 金刚石与磨料磨具工程 Aug．2003 总第 136期 第 4期 Diamond＆ AbrasivesEngineering Seria1．136 No．4 文章编号 ：1006—852X(2003)0l4—0023—03 控制 自发成核生长大颗粒立方氮化硼 晶体 GROW TH OF LARGE CUBIC BORON NITRIDE CRYSTAL BY CON-TROLLING SpONTANEoUSNUCLEATION 张铁 臣 杜永慧 苏作鹏 (吉林大学超硬材料 国家重点实验室 长春 130023) ZhangTiechen DuYonghui SuZuopeng (Nat／ona／研 LaboratoryforSuperhard 砌 ，JilinUniversity，Changchun130023，China) 摘要：cBN(立方氮化硼)的生长速率很低 ，用普通方法很难长出大的晶体。在本文中用 Mg为触媒 ，在 hBN—Mg体系 中加入适当比例的水或酒精控制 cBN晶体的 自发成核。由于在高温下水能分解六方氮化硼 (hBN)，在系统中形成高活性 的B和 N原子 ，从而改变 了晶体的生长环境 ，提高了生长速率 ，使 晶体迅速长大，在 5．5Gpa和 1500％超高压高温条件下 保温8分钟获得了 1．6mm的cBN晶体 。本文还讨论了在该体系中 cBN晶体的生长机制。 关键词 ：立方氮化硼；自发成核；生长速率 中图分类号：TQ163 文献标识码 ：A Abstract：Thegro~ahrateofCBN (cubicboronnitride)isverylow．Itisdittqeuhtoproducelargesinglecrystalusingeolllnlon method．Inthispaper，weusedMgascatalyst，waterorethanolWasaddedinthesystemofhBN(hexaganalboronniuide)一Mgtoocntrol htespontaneousnaeleationofcBNcrysta1．Meantime，becausethewatercoulddissolvehBN intoBandN athightemperature，thismade lUOi~activeNandBatomsinhtesystem，htusimprovedhtegrowthconditionsnadelevatde htevelocityofthecrystalgrowth．Thelargest cBNsinglecrystalwiht 1．6mm indiameterwasobtainde in8minatultrahighpressurenad hightemperatureof5．5GPanad 1500— 1700℃ ． Keywords：spontaneous nucleation；growth；cBN 要课题 。 1 引言 对于大颗粒 cBN单 晶合成研究 的报告并不 多。 自从 1957年 Wentorf用 Mg粉作触媒首次在高温 1987年 ，Mishime等采用生长金刚石大单晶用的温度梯 高压下合成立方氮化硼 (cBN)以来 ，由于它的硬度仅 度法首次在高温高压下成功地生长出粒径达 3mm的 次于金刚石 ，而它的耐热性，特别是它对铁族金属及合 立方氮