快速降温温度梯度法合成金刚石的晶体缺陷分析.pdfVIP

2012年2月 第 1期 金刚石与磨料磨具工程 Feb．2012 第32卷 总第 187期 Diamond＆ AbrasivesEngineering No．1 Vo1．32 Seria1．187 快速降温温度梯度法合成金刚石的晶体缺 陷分析 fi-z-y_， 朱晓芳 ， 梁宝玉 ， 李 英 ， 贾晓鹏 ， 黄万霞 ， 朱佩平 (1．燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室，秦皇岛066004) (2．吉林大学超硬材料国家重点实验室，长春 130012) (3．中国科学院高能物理研究所，北京 100039) 摘要 采用同步辐射白光貌相术研究了快速降温温度梯度法合成的大颗粒金刚石单晶体的晶体缺陷。 晶体生长的早期形成了沿±[100]和4-[010]方向延伸的平直位错，位错线均起源于种晶表面。晶体生 长 中期向[001]方向生长，未生成新位错。在晶体生长的末期，形成了大量位错束，这些位错柬 由多条直 线形位错组成，每个位错束中的所有位错生成于同一位错源，分布在扇形区域内，扇形夹角大多数在30。 以内。这些扇形位错束的位错源均位于靠近晶体外表面的晶体内，在靠近(100)的晶面附近分布最多， (1()())晶面附近比较多。少部分靠近(010)和(010)晶面。位错束的生长方向主要分布在[1O0]至[101] 区域和 0『01]附近区域，少量向[010]、[0l0]方向延伸。位错柬的形成和晶体合成末期的快速降温具有 密切的关系。 关键词 合成金刚石；同步辐射；貌相术；晶体缺陷；快速降温 中图分类号 TQ164 文献标志码 A 文章编号：1006—852X(2012)0l一0046—04 Analysison thecrystaldefectsofdiamond synthesizedbyHPHT temperature gradientmethodwithrapid descentoftemperature YUWan-li，ZHUXiao-fang ，LIANG Bao-yu ，LIYing ，JIAXiao·peng ，HUANG Wan-xia ，ZHU Pei-ping (1．MetastableMaterialsScienceandTechnology，Qinhuangdao066004，China) (2．NationalLabofSuperhardMaterials，JilinUniversity，Changchun130012，China) (3．InstituteofHighEnergyPhysics，Beijing100039，China) Abstract ThedefectsinalargediamondcrystalsynthesizedbyHPHTtemperaturegradientmethodwithrapid descentoftemperaturewerestudiedusingwhitesynchrotronradiationtopography．Dislocationswhichoriginated rfomthesurfacesoftheseedandextendedalongthedirectionsof 100]and-4[010]wereobservedwithin thecrystalgrownattheearlystage．Thecrystalwasthengrowntothe[001]directionatthemiddlegrowing stageandnodislocationswerefoundgeneratedatthisstage．A lotofdislocationbundlesweregeneratedatthe lastgrowthstageofthecrystalandeachbundlewascomposedofmanystraightextend