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氢等离子体在铁催石墨化作用下对CVD金刚石膜的刻蚀.pdfVIP

氢等离子体在铁催石墨化作用下对CVD金刚石膜的刻蚀.pdf

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金属学与金属工艺

维普资讯 2006年 l0月 金刚石与磨料磨具工程 0ct.2oo6 总第 155期 第5期 Diamond&AbrasivesEngineering Seria1.155 No.5 文章编号 :1006—852X(2006)05—0001—04 氢等离子体在铁催石墨化作用下对 CVD金刚石膜的刻蚀 满卫东。 汪建华 王传新 ’ 马志斌 王升高 张宝华 (1.武汉工程大学等离子体化学与新材料重点实验室,武汉市430073) (2.中国科学院等离子体物理研究所 ,合肥市 230031) 摘 要 在铁薄膜的催石墨化作用下研究了用氢等离子体刻蚀由微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)制备的多晶金 刚石厚膜的表面。其工艺为:自支撑的金刚石厚膜浸入饱和的三氯化铁水溶液中,然后平放在大气环境中干燥 ,将处理 过后的金刚石膜放入 MPCVD装置中,先用氢等离子体将氯化铁还原成铁 ,然后在800~C左右的温度下,利用铁对金刚石 的催石墨化作用及氢等离子体的刻蚀作用将其表面刻蚀。刻蚀完后的金刚石用酸清洗,在丙酮溶液中漂洗 ,然后用SEM 观察刻蚀效果,用Raman光谱对表面碳的结构进行了表征。最后用机械研磨法对金刚石样品表面进行研磨,并对研磨结 果进行对比。实验结果表明,这种方法能够有选择地快速刻蚀金刚石膜的表面,破坏表面晶粒的完整度,降低表面耐磨 性,从而提高对粗糙金刚石膜表面研磨的效率。 关键词 CVD;金刚石膜弦0蚀 ;等离子体 中图分类号 TQ164 文献标识码 A Chemicallyetchingvapor-depositeddiamondfilmsbyusinghydrogenplasma undergraphitization effectofiron ManWeidong, WangJianhua WangChuanxin · MaZhibin WangShenggao ZhangBaohua (1.HubeiProvinceKeyLaboratoryofPlasmaChem,istryAdvancedMaterials. WuhanInstituteofTechnology,Wuhan430073,China) (2.InstituteofPlasmaPhysics,ChineseAcademyofSciences,Hefei230031,China) Abstract Polycrystallinediamondthickfilms,depositedbymicrowave—plasma—enhancedchemicalvapordeposition(MPCVD), wereetchedinhydrogenplasmaunderthegraphitizationeffectofironthinfilm.Forthisprocess,thefree—standingdiamondthick filmsweredippedinasaturatedironchloridesolutionanddriedinatmosphericambient.Thepretreateddiamondwereresetinthe MPCVD system.Thediamondfilmswereheatedbyusinghydrogenplasma.Underthereductioneffectofhydrogenplasma,iron thinfilm Was formedonthesurfaceoft

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