- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
金属学与金属工艺
2011年 12月 第 6期 金刚石与磨料磨具工程 Dee.2011
第 3l卷 总第 186期 Diamond AbrasivesEngineering No.6 Vo1.31 Seria1.186
文章编号 :1006—852X(2011)o6—00o7—05
热丝化学气相沉积法制备优质微米
亚微米级单晶金刚石的研究
张 韬 , 沈 彬 , 孙方宏 , 张志明
(1.上海交通大学机械与动力工程学院,上海200240)
(2.上海交友钻石涂层有限公司,上海 200240)
摘要 利用热丝化学气相沉积法(HFCVD),在硅片衬底上进行微米级(1 m)及亚微米级(l m)单
晶金刚石的沉积研究。微米级金刚石是 以高温高压法 (HPHT)制备的 1 m金刚石颗粒为籽 晶,通过甩
胶布晶的方法,在衬底上均匀分布晶种,并通过合理控制沉积3-艺参数,在衬底上形成晶形完好的单晶金
刚石 。在沉积2h后 ,可消除原 HPHT籽晶缺陷,沉积6h后 ,生长 出晶形 良好 的立方八面体金刚石颗粒
(约4jxm);对于亚微米级单晶金刚石,是直接在衬底上进行合成,通过调控沉积参数(如衬底预处理方
法,偏流大小,沉积时间)对单晶金刚石的分布密度和颗粒度进行控制,经过 2h的沉积,最终获得 了0.7
m的二十面体单晶金刚石。
关键词 热丝化学气相沉积法;微米级单晶金刚石沉积参数
中图分类号 TQ164 文献标志码 A
Preparationandcharacterizationofhigh qualitymicro/submicrosingle
crystaldiamondsbyhotfilamentCVD method
ZHANG Tao , SHEN Bin , SUN Fang-hong , ZHANG Zhi-ming
(1.SchoolofMechanicalEngineering,ShanghaiJiaoTongUniversity,Shanghai200240,China)
(2.ShanghaiJiaoyouDiamondCoatingCo.Ltd,Shanghai200240,China)
Abstract Highqualitymicro/submicrodiamondswitheuhedraldiamondfaceswerepreparedusinghotfilament
chemicalvapordepositiontechnique(HFCVD).Themicrosinglecrystaldiamonds(1Ixm)weredeposited
onthediamondseedsinthesizeof1msynthesizedunderhighpressureandhightemperature(HPHT).The
photoresistsolutionwithdiamondseedsweredisperseduniformlyonsiliconwafersusingaspineoatermachine.
After2hoursdeposition,thedefectsoftheHPHT diamondseedswereeliminated.After6hoursdepositionn,
thediamondsof4 m withwell—definedmorphologywereobtained.Meanwhile,thesubmicron singlecrystal
diamonds(1 m)weredirectlydepositedonsiliconwafers.Thecrystaldensityandsizewerecontrolledby
adjustingthedepositionparameters,suchasthepre—treatmentmethodforsubstrate,biascu
文档评论(0)