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更多电子资料请登录赛微电子网 一些数字电子知识总结 一些数字电子知识总结（1） 1、由于IC中一般有大量的晶体管参与工作，所以我们必须特别注意芯片的功耗问题，过大的功耗会使得芯片大量发热而导致无法稳定运行。 2、在一个逻辑门中，当噪声信号消失后，输出会回到初始状态，然而，对于一个触发器而言，由于它的记忆特性，它将保持新的状态！ 3、三态结构充分利用了推拉式输出结构工作速度快的优点，同时允许输出连接在一起，共用一个公共线。 4、在数字系统设计中，我们可以通过减小负载电容、增加驱动电流来缩短延迟时间，因为延迟时间是由逻辑电路的负载电容和驱动电流决定的。 5、很多的IIC总线设备都是直接使用计算机或数字设备的5V电源作为其电源，它们之间采用6针DIN插头连接。 6、有时为了实现高电压和大电流的控制，我们必须设计和使用缓冲器接口电路来连接通常的低电平、小电流的TTL或者CMOS电路。 7、使得ECL器件中的双极型三极管响应非常快的关键是使其三极管始终处于非饱和状态。 8、漏极开路输出的上拉电阻应该尽量的小，以达到尽可能高的速度，因为这可以减小低电平到高电平转换的RC时间常数，但是也不能太小了，它的最小值应该由漏极开路输出的最大吸收电流来决定。 9、数字系统设计中，在工作频率很高时，只有高速的光电隔离电路才能满足数据传输的需要。 10、以前从电路书上看到一个日本人说过，可以采用晶体管或FET并联的方法形成电路的低噪声化。至于什么原因，嘿嘿，我至今还没想明白。 11、电流模式的信号传输比CMOS信号传输更好，因为电流模式的信号传输可以提供更低的电源、更快的操作和更好的抗噪声能力。 12、对于高速信号来说，由于趋肤效应的原因，传输导体可以看做是一个LPF。 13、设计数字电路时，使用小电阻的好处是可以提高器件开关速度和抗噪声的能力，但是这是以增加功率损耗为代价的。（P=I*I*R） 14、在使用DRAM时，存储在电容器里的电荷会一点一点地自然漏掉，因此，在每次读出存储内容后都必须进行新的充电，这就是所谓的“刷新”。 15、设计时需要注意的是，不管在系统的什么区域，只要存在电流，就会产生电感，这可是引起“地弹”现象的“罪魁祸首”！ 16、在1KHz时，假设一段短的接地导线可以测得其电阻为0.01欧姆，等到了1GHz应用时，由于传输线的“趋肤效应”，电阻值可能增加到1欧姆左右，更糟糕的是，同时还带来了几十欧姆的感抗。 17、在高速系统电路中，对于一个特定的电流返回路径，由于传输线所受的瞬时阻抗的大小不同的原因，其实电感要远比电阻重要。 18、我们应该明确的是，在一般情况下，电路中的电容器本身并没有消耗多少功率，它所做的功只是无功功率，电容器在一个周期内消耗的平均功率几乎为零（因为电容器可能存在ESR），其实大部分的能量都被消耗在加热驱动电路上了。 19、 在设计推拉式输出电路时，要注意避免两个晶体管同时导通，否则的话将产生一个从VCC到地的浪涌电流，这时所消耗的功率将会以热量的形式消耗在晶体管上了，严重的话，会损坏晶体管。 20、数字系统设计中，过快的上升时间分别通过两种“约定俗成”的方式来引发问题：du(t)/dt和di(t)/dt。由此我们可以推断出：要是电流变化速率越高的话，出现的电感耦合问题自然会更加严重。 21、在高频率应用时，通常应该选用N-沟道型FET，这是因为它的主要载流子是电子，半导体理论告诉我们，电子比空穴具有更好的移动性，说白了就是它能够更好地适用于高频率而很少出现不良的“效应”。 22、高频率领域时，任何形式的阻抗突变都会引起电压信号的反射与失真，这自然会使得信号质量出现问题，由此可知，我们得好好把握匹配阻抗的问题了。 23、我们应该重点把握数字系统设计的四个核心问题：功率、噪声、信号传输和时序！ 一些数字电子知识总结（2） 1、电流模式信号传输有一个优势就是电路电压在很大程度上是与发送器电源隔离的，也就是说可以抑制电源噪声。 2、很简单的原理：当电压变化时电容上就有电流“流过”，却往往容易被忽略。实际上，电流并不是真正地流过电容器，只是在当电容器两端的电压改变时，看起来好像是有电流“流过”一样。 3、我们可以在BJT的基极电阻两端并联一个电容器，以此来提高BJT的开关速度，它的原理就是：当输入电压变化频率很高时，基极电流就会很大，因此BJT可以迅速饱和或者截止。 4、由于半导体制造工艺的原因，导致BJT基区的体电阻远远大于发射区和集电区，所以BJT的热噪声主要存在于基区。也就是说，在设计低噪声电路时，我们应该特别“关照”BJT的基区。而场效应管则主要在沟道电阻上产生热噪声。 5、在数字电路的输入电路中可以插入一个RC低通滤波器，这样可以去掉输入信号中含有的高频噪声，以此给输出波形整形。 6、其实二极管的正向充电电流远大