Si基外延Ge上NiGe薄膜热稳定性与电学特性研究.pdfVIP

2011年11月 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 中国三亚 汤梦饶，黄巍，李成，郑元宇 (厦门大学福建厦门361000) 摘要： 对张应变的Si基外延Ge上NiGe薄膜的热稳定性以及NiGe与外延Ge接触的电学栉l生 进行了研究。通过四探针等测试，表明张应变外延Ge上NiGe薄膜的热稳定性比N型c-CJe上NiGe 薄膜的热稳定性提高了100*C，可能的原因是NiGe薄膜与张应变的外延Ge之间的晶格失配较小， NiGe薄膜所受到的应力较小．I-V测试结果表明，NiGe与外延G-e接触反向漏电流较大，器件整流 比较小，势垒高度比NiGe／c-Ge的势垒高度小。因此，要使NiC_re更好地应用于外延Ge基的肖特基 势垒源漏的MOSFET中，还需要进一步提高外延Ge质量。 关键词： Si基外延G-e；肖特基势垒；MOSFE汀；NiG-e薄膜；热稳定性 1 引言 Si基CMOS器件的等比例缩小已接近其物理极限，器件性能的进一步提高，可以通过改进器件结构和 采用高迁移率材料来实现。其中，Ge材料由于具有以下一些优势，引起了广泛的关注：1)与Si基技术相 氧化物的缺点，并取得了较好的实验结果[1-3】。另外，随着器件尺寸的不断缩小，传统的高掺杂源漏工艺已 逐渐被肖特基势垒源漏工艺所替代。肖特基势垒源漏由于具有较低的串联电阻，与沟道材料形成金半突变 Co-、Pt．、Ni．等锗化物受到了广泛研究，其中，NiGe因其具有低的形成温度、低电阻率、电阻率不会随尺 寸变化而变化、没有桥连现象等优势，在尺寸小于100nnl的器件中得到较为广泛的应用。 近年来，Si基Ge外延技术不断发展，外延得到的Ge材料的位错密度不断减小，表面粗糙度也不断减 低。从成本问题考虑，外延Ge材料比体Ge材料更有优势。另外，通过选择外延，可以在Si衬底上同时 重视。目前，外延(论基器件的研究主要集中在光电探测方面，CMOS器件的研究还比较少p7。。文献【5】 在外延Ge材料上成功地做出了Ge基PMOS，但其源漏区仍然是采用传统的高掺杂源漏结构，随着器件尺 寸的缩小，这种源漏结构将逐渐被肖特基势垒源漏结构所替代。在体．Ge基的肖特基势垒源漏MOSFET中， 金属锗化物，尤其是NiGe材料受到了较大重视。因此，本文对外延G-e材料上NiGe薄膜的形成及其热稳 定性，以及NiGe与外延Ge接触的电学特性等方面进行了研究，为以后在外延Ge上制备肖特基势垒源漏 的MOSFET做准备。 2外延Ge材料的生长 衬底标准清洗后传入生长室，l000℃下脱氧lrain，去除表面氧化物。生长时，先在35012下生长一层 超晶格主要起到压制位错的作用，最后在630℃下生长8h的高温Ge，高温Ge厚度约为lttm。 图l所示为外延Ge的TEM截面图，从图上可以看到，外延生长的各层界面比较平整，位错大部分被 l 限制在SiGe／Ge超晶格之下，最上层的外延Ge中位错较少。通过AFM测试，扫描范围为limaxttm时测 ．166． *擎饶等：Si基外《Ge±NiCe薄膜热稳定性＆电学特性研究 得外延Ge的表面粗糙度为0．24am。采用腐蚀位错坑的办法，aI得的外延Ge的位错密度为】×106。对外 延Ge(400)峰位f体Ge(400)峰位的偏移程度上，得到外延Ge受到0125％11cJ张应变。 圈i外延Ge的TEM截碰目 3 NiGe薄膜的制备 nm的Nl薄膜。溅射时，一部分外延Oe片用带有 延0e表面进行清洗，然后在外延Ge上溅射厚度为20 直径850 Inn圆形图形的Ni薄膜，图形 lun圆孔的掩膜版遮盖，这样溅射后的外延Ge表面带有直释为850 样品用1：电学测试：没有图形掩膜版遮盖的样品用于NiGe薄膜热稳定性实验。然后对样品进行N：环境下 快速热姬火(RTP)60 针法进行测试，相变和表面形貌分别用多品XRD和SEMiI试