ZnSe晶体加工工艺的研究.pdfVIP

维普资讯 第 26卷第 4期 长 春理工大学学报 Vo1．26 Nak4 2003年 12月 JournalofChangchunUniversityofScienceandTechnology Dec．20 0 3 文章编号 ：1oo4—485X 【2003)O4一oo67一O3 ZnSe晶体加工工艺研究 张 亮 李建立 魏 东 刘景和 (长春理工大学 材料与化工学院 ，长春 130022) 摘 要 ：制备 了ZnSe晶体 ，对其生长和k_T-工艺进 行 了研 究 ，提 出了一些合理 的解 决办法。测 试结果表 明，所得 ZnSe晶体适合用于红外窗 口材料 。 关键词 ：ZnSe晶体 ；加工工艺 ；红外窗 口材料 中图分类号 ：0786 文献标识码 ：A ZnSe属直接带隙 II—IV 族半导体 ，面心立方 表 1 ZnSe主要性能参数 结构 ，具有优异 的理化性质 ，可用于制造蓝光半导 体激光器件 、光探测器件 、非线性光学器件 、波导 调制器等同时作为优秀 的红外材料 ，是红外透镜 、 激光窗 口、红外热像仪的首选材料 ，对该晶体 的生 热膨胀系数 7．57×1O一6k一1 长和加工工艺进行研究是十分重要 的。目前 国内在 比热 导热系数 16w／m-k一8w／re．k 光学 晶体加工方面虽然已有三 四十年的历史 ，也取 吸收系数 mim transmittancd 得 了不少进展 ，但 比起光学玻璃 的加工在技术上还 2．1 晶体缺 陷的检测 显得不够成熟 ，主要表现在生产成本高 ，生产效率 为了提高晶体加工 的成 品率 ，降低成本 ，对 晶 低 ，好 的加工技术还未能推广使用 ，很多加工技术 体缺 陷的检验是十分必要 的。同时，晶体 中的缺 陷 还处于摸索阶段 ，远远不能满足对 ZnSe晶体应用 对光学材料的均匀性 ，光损耗等均有影响，所 以必 的需要 。本文在总结现有技术基础上 ，对 ZnSe晶 体 的加工进行 了一些研究 。 须在加工之前对晶体的完整性进行检测 。而且 由于 晶体 内部 的不完整 ，会给加工带来 了许多 问题 ，主 1 ZnSe的基本性能 要有 以下几种 ： (1) 由于晶体切割时，震动 比较大 ，当碰到 晶 目前用来生长 ZnSe晶体 的方法虽然很多但实 体 内部不均匀处 ，会产生崩边 的情况 ，这样会对材 用 的 方 法 主 要 有 以下 几 种 ：化 学 气 相 沉 积 (CVD)、物理气相沉积 (PVD)和垂直坩埚下降 料造成不必要 的浪费 。 (VB)法 。这几种方法各有优缺 点，分别有不 同的 (2)在 晶体研磨时，如果遇到晶体缺陷处 ，其 生长厂家在采用 。作为一种 红外 窗 口材料 ，ZnSe 加工余量就难 以确定 ，由于破坏层深度与缺陷比起 晶体的主要性能如表 1 来小的多，所 以必须将余量定为缺陷纵 向高度 。