基于SiGe5AM工艺的A-MOS变容管的应用.pdfVIP

中国电子学会第二十届电路与系统学术年会(CSCAS2007) 暨2007年港、澳、内地电子信息学术研讨会 基于SiGe5AM工艺的A—MOS变容管的应用+ 高锋淋1，2黄世震1，2林伟1，2陈学清1，2 1．福州大学 福州350002；2．福建省微电子集成电路重点实验室福建福州350002 摘要： 本文介绍了基于SiGe5AM工艺的A．MOS变容管的结构、基本工作原理及其仿真模型，并在 CADENCE ADE用SpectreRF仿真软件对其特性和其在VCO的典型应用电路进行了仿真。结果表明，这种变 容管可提供的电容动态范围较大，具有较好的单调线性度，可工作的频率范围大，为压控振荡器的变容设计 提供了很好的选择。 关键词： 变容管积累型MOSSiGe5AM压控振荡器 —jL—-L 一、月lJ舌 压控振荡器是通信系统的一个重要部件，按电路结构主要分为两类：环形振荡器和LC振 荡器“1。环形振荡器易于集成，可调频率范围大，但相位噪声性能不如LC振荡器。LC压控振 荡器要求高品质因素的无源器件，需要片上电感和变容管器件才能集成。过去的VCO电路大 多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件，然而在用实际工艺实现电路时，会发现变容二 极管的品质因数通常都很小，这将影响到电路的性能。于是，MOS变容管便应运而生了担卜n1。 二、正文 l MOS变容管 将MOS晶体管的漏、源和衬底短接便可成为一个简单的MOS电容…∽…1，如图1。这种电 容通常被称为普通型MOS电容。在NMOS电容中，反型载流子沟道在vGs大于阈值电压时建立， 它的电容一电压特性曲线如图2所示。当VGs大于阈值电压时，NMOS电容工作在强反型区域 (V区)。另一方面，在栅电压vG小于衬底电压Vs时，NMOS电容工作在积累区(I区)，此 时栅氧化层与半导体之间的界面电压为负且能使空穴自由移动。这样，在强反型区和积累区 的NMOS电容值等于Cox(氧化层电容)。在强反型区和积累区之问还有三个工作区域：从左 到右分别为耗尽区(II区)、弱反型区(III区)和中反型区(IV区)。这些工作区域中只有很 少的移动载流子，使得电容值减小(比C。。小)。 r 矗 ：f 工 工 划 V n—sub ‘Ⅲ工 S I割l 晋通MOS电脊的结构 蚓2黹通电容的CV特性 图2说明了普通型NMOS变容管调谐特性是非单调的，这是VCO所不希望的。目前有两种 方法可以获得单调的调谐特性。…种方法是确保晶体管在Vn变化范围大的情况下不进入积累 区，这可通过将衬底与栅极和源极断开，而与电路中的最低直流电压短接来完成，形成所谓 的反型MOS电容。反型NMOS电容只工作在强、中和弱反型区，而从不进入积累区。但是， 在得到最小电容值时，栅极和源极之问的电阻很火，主要是因为此时沟道载流子的浓度很低， 从而导致了这种变容管的低品质因素。 解决这个问题的方法是应用只工作在耗尽区和积累区的NMOS器件，这种器件具有更大的 调谐范围并目．有更低的寄生电阻，即意味着可以得到更i茴的品质因素。这种变容管就是积累 MOS)IJ 型MOS电容(Accumulation．modeJ，简称A—MOS。结构如图3所示，即在N井中制造 出NMOS器件。当VGVs，硅和氧化物之问的电子被驱离，形成耗尽层。电容可以看成是耗尽 层电容和氧化层电容的串联。当VGV。时，界面从源极和漏极吸取电子，形成n沟道(由于管 +本课题得到福建省科技三项“TUNER芯片的仿真砹计”项目支助，项目编号：2006F5023。 482 中国电子学会第二十届电路与系统学术年