CAF电子工业小型化的威胁.pdfVIP

维普资讯 … … … · ’ In检spe验ctio与n测Te试st…… …… … ……… …… … …… …… …… …… …… …… llCAF：电子工业小型化的威胁 (江南计算技术研究所 214083) 高艳丽 华嘉桢 编译 摘 要 概述 了CAF的历史、发生的原理，分析了CAF产生的根本原因，比较 了几种CAF失效分析的方法，同时也介 绍了一种简易的测试设备。 关键词 CAF 小型化 ConductiveAnodicFilament(CAF)：TheThreattoMinia- ttuurriizzaattlioonnoftthlleeElectronicsIInndduussttrr~y GaoYanli HuaJiazhen Abstract ThispapersummarizesthehistoryofCAFanditstheories，analyzingtherootcausesforCAFformation andcomparingvariousmethodsofCAFfailureanalysis．A simpletestvehicleisalsoshowntoUS． Keywords CAF miniaturization 1 CAF的历史 慢。生产者将会被要求降低表面离子污染，改进成 自从PCB发明以来，内层 电迁移问题 已经成为 孔技术，将孔壁玻璃布和树脂界面处的应力减到最 这个行业的一部分。1976年，贝尔实验室首先确定 小 。 此概念。由于孔壁到孔壁的设计距离较远，导体要 这篇文章概述了CAF形成的根源，介绍了一种 迁移较长距离才会导致诸如电流泄漏或者短路等失 用 以检测温度、湿度和偏压情况各不相同的CAF条 效问题，70和 80年代对CAF的关注很少。 件下层压板中离子迁移情况的简易设备。IPC在2003 目前，特征尺寸的减小增加了由于湿度、离子 年底制定了CAF的检测规程，但是，OEMs通常按 污染和偏压 (bias)造成的内、外层 内电迁移，从 照 自己的检测条件使用 自己的设备进行检测。到现 而引起突变失效的隐患。在医疗卫生领域，助听器、 在为止，对 CAF检测来说，还没有确立标准。 心房脉冲产生器和其它可移，植装置的尺寸越来越 2 原理 小，电迁移 问题尤其需要关注。在未来几年，不同 众所周知，层压板 内CAF的产生需要某些特定 领域的IC封装基板的设计线宽 ／间距可望达到 1mil 的条件。这些条件包括高的偏置电压、高湿度、表 (25 m)以下，孔壁到孔壁的距离则小于 5milS 面和树脂离子污染、玻璃布和树脂间结合薄弱 以及 (125~tm)。因而在基板设计中，抗 CAF能力将会是 曝露在较高的封装温度 (无铅化应用)下。层压板 必然 的指导方针 。 表面和 内部CAF的产生通常有四种途径：(1)孔壁 除非印制板行业能够生产在特征尺寸上具有抗 到孔壁；(2)孔到线；(3)线到线；(4)层到层 。 CAF能力的基板，否则，小型化的步伐将会大大放 下面所示的是一些可能发生的反应 (见图1)： ；… … ．．PrintedCircuitInformation印制电路信息2005肋．，口