射频芯片内DCXO的晶体振荡主电路设计.pdfVIP

( ) 　　中图分类号 :TN402 　　文献标识码 :A 　　文章编号 :1009 - 2552 2008 04 - 0081 - 03 射频芯片内DCXO 的晶体振荡主电路设计 梅华灯 , 周健军 , 莫亭亭 (上海交通大学微电子学院 , 上海 200240) 摘 　要 : 描述了一种射频芯片内数控晶体振荡器 (DCXO) 的振荡主电路设计 , 以DeepNWell CMOS 工艺的 PMOS 为主工作管 , 采用 Santos ( 改进 Colpitts) 结构 、非对称差分式振幅控制环 , 避免了因Vt 依赖工艺与温度等而产生的可靠启振 问题 。该 10MHz DCXO 振荡器主 电路 , 采用 TSMC MixedRF 0 . 18μ