快Z箍缩物理过程的PSPICE电路模拟方法分析.pdfVIP

　第 15 卷 　第 1 期 强 激 光 与 粒 子 束 Vol. 15 ,No. 1 　 　2003 年 1 月 HIGH POWER LASER AND PARTICL E BEAMS Jan. ,2003 　 文章编号 : (2003) 快 Z 箍缩物理过程的 PSPICE 电路模拟方法分析 1 ,2 1 1 2 1 谢卫平 , 　王文斗 , 　邓建军 , 　应纯同 , 　丁伯南 ( 1. 中国工程物理研究院 流体物理研究所, 四川 绵阳 621900 ; 　2 . 清华大学 工程物理系 , 北京 100084) 　　摘 　要 : 　简单介绍了快 Z 箍缩概念和物理过程 , 以及 Z 箍缩物理过程不稳定性因素和简单分析。用 PSPICE 电路模拟方法解薄壳模型得到了箍缩时间、等离子体壳的速度、负载上的电流、电压变化规律等Z 箍缩 物理量。 　　关键词 : 　Z 箍缩 ; 　薄壳模型 ; 　电路模拟 ; 　磁流体力学不稳定性 　　中图分类号 : 　O53 　　　　文献标识码 : 　A 　　大电流沿轴向通过等离子体 ,产生强的环向磁场 ,在洛伦兹力的作用下 ,等离子体被加速向轴心箍缩 ,成为 高温高密度等离子体 ,这个过程被称为内爆 Z 箍缩。内爆 Z 箍缩是一种强的软 X 射线源 ,它在武器物理、武器 效应模拟和惯性聚变等领域有重要的应用前景。 　　Z 箍缩同激光驱动的 ICF 研究在五十年代几乎是同步启动的 , 由于 Z 箍缩产生的 X 光能量只有数十到数 百J ,功率约 20 TW ,技术上的进展一直比较缓慢。主要原因是内爆过程中的 RT 不稳定 ,严重地影响了 X 光 能量的转化效率。1995 年首先从数值模拟上 ,接着在工艺上 ,特别是在负载结构上取得了突破 , 即采用直径为 [3 ] 几 μ 上的实验结果表明该结构能有效地抑制不稳定性 ,X 射 m 的钨丝轴向排列构成圆柱形丝阵。土星装置 线功率从 20 TW 猛增到 85 TW ,总能量上升到 400～500kJ ,Z 箍缩研究取得了突破性进展 ,圣地亚国家实验室 ( 于 1995 年将 PBFAII 加速器 ,改建成从事轻负载快过程 Z 箍缩实验研究的 Z 装置 储能 11. 6MJ ,加载电流 20MA ,脉冲上升时间 100ns ,Marx 最大电压 6MV) ,并进一步优化黑腔中钨丝套筒的结构 ,使 Z 箍缩研究取得 了一系列举世瞩目的重大进展:X 射线输出能量达到 2MJ ,转换效率为 15 % ; X 射线输出功率达到 290 TW ; 黑 腔辐射温度达到 155eV 。为此 ,人们对 Z 箍缩焕发了兴趣 ,对其更加重视 ,并给予极高的希望。 1 　快 Z 箍缩概念 　　快 Z 箍缩是相对Bennett 平衡而言的。对于小直径 Z 箍缩实验 ,如聚变应用的冻氘丝 Z 箍缩实验 ,它的典 21 22 - 3 μ 型直径是 1～100 m ,密度 10 ～10 cm ,建立径向平衡时间只需几 ns ,相对于电流上升时间 100ns 而言 ,这 个时间很短 ,足以达到 Benne