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CMOS集成电路版图 邓军勇 djy@xiyou.edu.cn 029第2章 电路图基础 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.1 MOS 晶体管 2.1 MOSFET Structure MOSFET Structure NMOS and PMOS with Well NMOS单管开关 PMOS单管开关 CMOS开关 2.2 逻辑门（Gate） 逻辑门可以直接或者组合形成布尔逻辑函数。几乎任何布尔逻辑都可以由单个逻辑门实现，但通常并不这样做。 反相器 与非门 或非门 复合逻辑门 2.2.1 反相器 2.2.2 两输入与非门（NAND2） 2.2.3 两输入或非门（NOR2） 2.2.4 CMOS复合逻辑门 同一个组合逻辑可以用不同的电路来实现 设计原则 包含的门数及管数尽可能的少 门的连接关系尽量简单 多用反相门（NAND、NOR等），少用同相门 （AND、OR等） 设计目标 减少芯片面积→降低芯片成本 缩短互连线→提高传输速度 2.2.4 CMOS复合逻辑门 2.2.4 CMOS复合逻辑门 2.2.4 CMOS复合逻辑门 2.2.4 CMOS复合逻辑门 2.2.4 CMOS复合逻辑门 异或门 同或门 2.3 传输门 应用 多路选择器 异或门、同或门 运算电路（如加法器） 时序部件 2.3 利用传输门实现异或逻辑 2.4 理解电路图连接关系 2.5 回顾电学基本定律 2.5.1 欧姆定律 2.5.2 Kirchhoff定律 Kirchhoff电流定律 Kirchhoff电压定律 2.5.3 电阻 2.5.4 电容 2.5.5 延时计算 2.5.1 欧姆定律 V=I×R MOS管等效电阻 2.5.2 Kirchhoff定律 Kirchhoff定律 Kirchhoff电流定律：流入任一电学节点的电流的代数和为零； 或者，流入节点的电流总和等于流出节点的电流总和。 Kirchhoff电压定律：在一个闭环回路中的电压降之和等于该电路外加总电压，即，输入电压总量等于电路中所有的电压降。 2.5.3 电阻 电阻即导体导电的阻力（能力）。 在IC设计中约定，导电层的电阻值计算用每“平方面积”的阻值来表示。“平方面积”定义为导体长度等于宽度时的面积。 ρ是导体层的电阻率，单位是Ω/□，l是长度，w是导体的宽度。 2.5.4 电容 电容是在指定节点和参考节点之间每单位电压一个物体或导体所能支持的电荷总量。 C=ε×A/d 2.5.5 延时计算 导线不是一根简单的互连线，而是一个含有电阻、电容等寄生参数的复杂的几何形体。通常将其等效为一个电阻和一个电容。 τ=R×C 2.5.5 延时计算 如何使延时最小化 导体长度最小化 导体宽度最优化 增加导体和其他参考节点的间距 作业 CMOS集成电路版图 西安邮电学院ASIC中心 第2章 电路图基础 --概念、方法与工具 MOS晶体管 传输门 逻辑门 理解电路图的连接关系 基本电学定律 CMOS 导通条件 等效电阻 阈值损失 RETURN in Out 0 1 1 0 In1 In2 Out 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 In1 In2 Out 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 0 P管：并与串或 N管：串与并或 S1 S2 VDD Y A B OUT 0 0 弱 0 0 1 0 1 0 X 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 0 X 1 1 弱 1 IN 0 0 0 0 1 1 1 1 RETURN CMOS集成电路版图 西安邮电学院ASIC中心 * *