MOS电容器工作原理.ppt

电荷的测量 为了进行性能分析，利用等效电路说明。 现在CCD输出结构中，相加阱被输出栅代替，作用相同。 复位FET用开关等效，输出节点电容用电容等效。 该电容的典型值都小于 0.1pF 。 根据 V = Q/C, 这个电容的两端将产生与这个电荷包电荷量成比例的电压，也是某个特定像元入射光强度成比例的电压。Vout = G×Qm/Cs 2-8 电荷的测量 等效电路 RD OD 节点电容 移位寄存器来 Cs= 0.1pF 一个电子电荷～1.6?V 输出信号： 1 复位脉冲过冲 2 参考电平 3 信号电平 G:输出FET增益(1～0.8) 电荷的测量 等效电路 CCD信号电平是浮起来的，真正的信号是信号电平与参考电平之差。 复位管不是理想开关，存在导通电阻。这个电阻的热噪声在复位时会通过节点电容叠加到信号上输出形成复位噪声。 电荷的测量 还有输出管的闪烁(1/f)噪声以及输出电阻的热噪声，一起构成CCD读出噪声。在读出噪声中起主要作用的是复位噪声。 复位噪声计算： 导通电阻热噪声 k: 波尔茨曼常数，T:绝对温度，B:带宽 CCD 利用单极点模型，B = 1/(4RC) 电荷的测量 噪声电压表示： 噪声电子表示： 复位噪声又称 KTC噪声 2-9 2-10 举例说明： 复位噪声 Cs = 0.1pF, RON = 2k? 噪声带宽 B = 1.25GHz nR = 0.203mV ，相当于126个电子。 输出电阻热噪声 当B＝1MHz, RL=2k?时 nW ＝5.75?V rms 电荷的测量 CCD工作过程与性能 电荷生成 量子效率 (QE)、 暗电流 电荷收集 满阱电荷数、 均匀性、 扩散 (调制传递函数, MTF) 电荷转移 电荷转移效率 (CTE), 电荷测量 读出噪声 、 线性度 CCD与CMOS比较 电荷生产 电荷收集 电荷转移 电荷测量 四个过程在一个像元内完成. 光电转换 电荷收集 像元的光敏区 电荷转移 垂直和水平CCD 水平CCD后放大器 电荷-电压转换/放大 微型信号线 电压传递 CCD 图像传感器 CMOS图像传感器 像元内放大器 电荷-电压转换/放大 CCD与CMOS比较 性能 CCD CMOS 像元输出 电荷包 电压 芯片输出 电压(模拟) 数字量 噪声 低 中等 填充因子 高 低 暗电流 低 高 均匀性 高 中等 动态范围 高 中等 系统复杂度 高 低 功耗 高 低 垂直模糊 较大 没有 CCD与CMOS比较 CMOS的集成度高 CCD与CMOS比较 CMOS的填充因子较低 CCD CMOS CCD与CMOS比较 CMOS Camera CCD与CMOS比较 卷帘式快门CMOS引起的畸变 CCD的基本结构非常简单，就是MOS电容。了解MOS电容就了解了收集电荷的势阱，了解了隔离电荷包的势垒，了解了供电荷转移的沟道。 CCD的输出结构对CCD性能的影响至关重要。通过对输出结构的学习，重点了解CCD输出信号的特殊性和复位噪声的概念。 CMOS图像传感器发展很快,学习本章内容对CMOS的应用也是有用的。 小结 * * CCD曝光时，产生光生电荷，光生电荷在势阱里收集。随着电荷的增加，电势将逐渐变低，势阱被逐渐填满，不再能收集电荷，达到饱和。 势阱能容纳的最多电荷称为满阱电荷数。 n p 电势 最大电势区 电荷的收集 MOS 电容器 实际的埋沟结构 埋沟结构的两边各有一个比较厚(~0.5-1.5μm)的场氧化物区。该区与高掺杂的 p-型硅一起形成形成沟阻，该区的静电势对栅极的电压和电压变化不敏感，始终保持形成势垒。 电荷的收集 MOS 电容器 栅极 N型埋沟 场氧化物 沟阻 P型衬底 耗尽区 信号电荷 氧化物 埋沟结构的MOS电容的主要特点是： 能在单一电极之下的一个局部区域内产生势阱； 能调整或控制栅极下面的势能； 储存电荷的位置 (势能最小处)离 Si- Si02 交界面有一定的距离； 低的暗电流使其能够长时间的储存信号电荷 (取决于工作条件可以从数十秒到数小时)； 所收集的电荷可以通过光照、电注入等产生； 能快速地将电荷从一个电极之下的一个位置转移到下一个邻近的电极下面，而且损失非常低。 电荷的收集 MOS 电容器 像元边界 电荷包 p-型硅 n-型硅 SiO2 绝缘层 电极结构 像元边界 入射的光子 光子入射到CCD中产生电子空穴对， 电子向器件中电势最高的地区聚集，并在那里形成电荷包。每个电荷包对应一个像元。 电荷的收集 电荷收集的效率与电势的分布、复合寿命和扩散长度有关。 电荷的收集 复合寿命 由光子激发出的电子在重新跃迁回价带(与空穴复合)之前可以在硅晶格