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铁道部动车组高级专业管理培训班2005年 和本征半导体的价电子比起来，施体电子跃迁至传导带所需的能量较低，比较容易在半导体材料的晶格中移动，产生电流。 因为掺杂而获得多余电子提供传导的半导体称为n型半导体（n-type ），n代表带负电荷的电子。 虽然施体电子获得能量会跃迁至传导带，但并不会和本质半导体一样留下一个电洞，施体原子在失去了电子后只会固定在半导体材料的晶格中。 E-mail: xjhuang@bjtu.edu.cn 电力电子器件及应用技术 北京交通大学电气工程学院 2009年4月 14日 主要授课内容 实验电路介绍 复习课 第十五讲 US UP NP NS 实验电路原理图 实验电路图 1、半导体 +4 +4 +4 +4 空穴的存在将吸引临近的价电子来填补，这个过程称为复合 价电子的移动也可以理解为空穴反方向在迁移 空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此空穴也可以认为是载流子 空穴和电子数目相等、移动方向相反 3、半导体二极管 二极管正向导通过程又称为正向恢复过程（Forward Recovery） FP V 正向恢复峰值电压 IF VF fr t 正向恢复时间 二极管动态特性 正向导通 正向电流下降 反向电流增大 恢复反向阻断 反向恢复时间－trr 反向恢复峰值电流－IRP 反向恢复峰值电压－VRP 电压反向 二极管反向恢复（Reverse Recovery）过程 二极管正向恢复对主开关管影响 二极管正向恢复峰值电压与直流电压串连，增大了主开关管关断过程电压。由于正向恢复峰值电压并不大，因此影响很小。 主开关管导通过程中电流的波形 二极管反向恢复过程中的反向电流会增大主电路其它器件开通过程中的电流负担和损耗。 二极管逐渐恢复阻断的情况 G G 门极 K 阴极 阳极 A P1 P2 N1 N2 四 层 半 导 体 三 个PN  结 “四层三结”结构。三个极：阳极（Anode，A）、阴极（Cathode，K）和门极（Gate，G）。 3，晶闸管 + K A T2 T1 _ P2 N1 N2 IG IA P1 N1 P2 IK G T1 T2 A K G R 晶闸管触发导通的条件 1、阳极必须正向偏置（相对于阴极）。 2、必须提供一定的门极触发电流。 3、在触发信号撤除之前，阳极电流应大于擎住电流。 4、导通后，阳极电流必须大于维持电流。 晶闸管导通现象？ 一般情况下，我们都不希望出现晶闸管dv/dt触发的现象。如何才能避免呢？ 通过制造工艺减小结电容； 降低阳极电压变化率； 降低门极电路的阻抗； 既使SCR的门极没有驱动电流，在阳极dv/dt较大的时候，SCR也可能被“触发” 导通的现象。 PN结的结电容正是产生晶闸管dv/dt触发的“罪魁祸首”。 晶闸管触发方式 除了在门极利用门极电流参数门极触发外，晶闸管还有如下触发方式： 光触发：利用适当的光照射门极与阴极间的PN结，可以产生晶闸管的光触发。 热触发：受温度的影响，促使晶闸管内部的双晶体管形成正反馈而导通。 dv/dt触发：由于阳极（相对于阴极）的电压快速上升所引起的晶闸管导通。 晶闸管的串并联 晶闸管串并联的目的： 利用晶闸管的串联主要是为了提高电路的电压等级； 利用晶闸管的并联主要是为了提高电路的电流等级； 由于晶闸管特性的分散性，特别是动态性能的分散性，使得晶闸管进行串并联设计时不能简单地将单个晶闸管的电压电流额定值按照串并联的数目相加得到新的电压电流额定值，而必须考虑降额和保护措施。 1、Ciss（Input Capacitance）门极输入电容 2、Coss（Output Capacitance）输出电容 3、Crss（Reverse Transfer Capacitance）反向转移电容 1、Ciss对驱动电路影响最大。 2、Coss对输出电压的波形有影响。 3、Crss使得漏极的电压变化对门极产生影响。 Ciss、Coss和Crss并不是恒定不变的 4，MOSFET 漏极电压下降→通过Crss从门极吸收“额外”电荷→门极电压变化处于“平台” →漏极电压降为0后，门极电压继续上升。 2、 dv/dt 效应和静电效应： 2.1 不损坏器件的 dv/dt 误导通： 外加漏源dv/dt→Cgd→IM1→Ugs↑→ Ugs＞UT→误导通 运用MOSFET时应采取措施: 1、设计阻抗很低的栅极驱动电路； 2、避免高温运行（因为T↑→ UT ↓）； 3、防止静电感应 2.2 易损坏器件的 dv/dt 误导通： 在 IM2 × Rb ＞0.7伏时，寄生 双极晶体管激活开通易诱发BJT的二次击穿→导致VDMOS损坏。 门极脉冲频率为100kHz、电压为15V、假设Cgd恒定为100nF，门极