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* * 环化橡胶 环化橡胶对硅基材优良的附着力； 环化程度高，则曝光分辨率高，但附着力与胶层抗蚀能力下降； 通常控制橡胶分子链平均成环数为2。 多叠氮光偶联剂 。 环化橡胶－多叠氮体系增感剂 有机叠氮结构自身的感光波长大多在300 nm左右，制成光刻胶，亦需增感 二苯甲酮、芴酮、ITX、萘醌、蒽醌、硝基苯胺、硝基芘、三苯基噁英鎓高氯酸盐等等 环化橡胶-多叠氮光刻胶体系在80年代曾经在IC加工领域占据绝对主导地位。 水溶性光刻胶 水溶性高分子 + 水溶性 多叠氮感光交联剂 水溶性高分子：聚乙烯基吡咯烷酮、聚丙烯酰胺等； 水溶性叠氮光敏交联剂： 不用苯系和卤代溶剂，环保 聚酰亚胺(PI) 聚酰亚胺是一类由双功能团的有机芳香族四酸二酐和有机芳香族二胺通过缩合反应合成的聚合物材料。 聚酰亚胺独特的化学、物理、力学和电学性能 (1) 优异的耐热性能，可耐350--450 ℃的高温； (2) 优良的力学性能，对器件有一定的增强作用； (3) 化学稳定性好，抗有机溶剂和潮气的浸湿； (4) 良好的绝缘性，体积电阻率可达1015 ?·cm； (5) 优良的介电性能，介电常数3.0～3.4，介电损耗0.01～0.002； (6) 高纯度，无机离子的量低，钠离子含量可低于2～3mg/kg； (7) 具有比无机介电材料(Si02，Si3N4等)更好的平面形成性能和力学性能； (8) 对常用基体、金属和介电材料的粘接性优良； (9) 根据需要，可形成薄膜，也可形成厚膜； (10) 成型工艺简单、易行。采用阶梯升温法，一次成型，可明显降低生产成本。 聚酰亚胺在微电子加工上应用 光刻性的聚酰亚胺材料可作为： ?半导体芯片的钝化材料； ?多层金属互连结构的层间介电绝缘材料； ?半导体器件的缓冲保护材料， PI已经成为当今微电子技术中的关键材料之一。 ?有效阻滞电子迁移、防止HCI/盐化学腐蚀。 ?遮挡潮气，增加元器件的抗潮湿能。 ?增强器件的机械性能。 聚酰亚胺光刻胶 有负性胶和正性胶， 聚酰亚胺光刻胶基本特点： 以水为显影液。 高感光性。 高分辨率：亚微米级；直墙深刻。 低离子含量：ppb级。 光刻性的聚酰亚胺材料包括： 标准型聚酰亚胺(standard polyimide) ，非光敏性： 需借助普通光刻胶，通过曝光刻蚀制作精细的聚酰亚胺图形和通孔，以实现芯片的引线或多层金属互连结构的层间互连。 光敏性的聚酰亚胺(photosensitive polyimides，PSPl)： 可直接曝光，减少制图工艺步骤，提高成品率，降低生产成本。 与普通光刻胶比较 刻蚀PI功能膜 光敏性聚酰亚胺光刻胶 PAE 高丙烯酸酯官能度，感光灵敏度度高 对光刻胶的要求 ???光刻胶的一般要求 要求有很好的成膜性。光刻时一般采用旋转涂胶的办法，即在硅片的中心滴一滴光刻胶，然后在高速旋转台上旋转，使光刻胶均匀分布在硅片上成膜。 要求胶膜对二氧化硅有强的附着力。 要有足够的光敏性。 要有良好的分辨率，所谓分辨率就是光刻可达到的最细线条的宽度。 对光刻所用腐蚀液有良好的抗腐蚀性等等。 影响光刻分辨率的因素 影响光刻分辨率的因素 曝光：光有衍射效应，波长愈长，衍射效应愈严重。曝光时间延长，分辨率也会下降。 显影：当用溶剂显影时，不溶的交联胶膜可以发生溶胀，因此可以使图形变形，影响分辨率。 腐蚀：腐蚀反应是一种各向同性的反应，侧蚀现象普遍发生，得到非笔直边缘刻蚀线条。 光通过掩膜的衍射 表 光刻的分辨率问题 光波长nm 光源 分辩率 μm 可满足RAM 436 G 线 0.7 4M 365 I 线 0.3 64M 248 KrF 0.18 0.15 256M 1G 193 ArF 0.15 0.13 1G 4G 157 F2激光 0.11 126 Ar激光 0.10 提高光刻分辨率的主要改进方法 提高光刻分辨率的主要改进方法 将传统光刻中的接触曝光（掩模与硅片直接接触）改为投影曝光，以后又改为分步缩小投影曝光。 在使用分步重复投影曝光机的同时，采用短波长的紫外光作为光源，例如由波长436纳米的G线光源改为365纳米的I线光源和248纳米的激光。 采用相位移的掩模代替传统的黑白底片掩模。 用离子束进行干性腐蚀，不用腐蚀液进行湿法腐蚀。离子束腐蚀是定向腐蚀，避免了侧向腐蚀。 投影曝光提高分辨率 返回 ? 适合248 nm谱线光刻胶 KrF 适合193 nm谱线的光刻胶 分子结构中不宜含有苯环等强吸光基团，否则降低193 nm谱线透过率。 ArF 适合157 nm 谱线光刻胶 在脂肪结构上引入氧原子或氟原子，可提高材