生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究.pdfVIP

　第 19 卷第 11 期　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 11　 V o l N o 　1998 年 11 月　　 　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S N ov 生长在尖晶石衬底上的 GaN 外延层的喇曼散射研究 李国华　韩和相　丁　琨　汪兆平 (半导体超晶格国家重点实验室　中国科学院半导体研究所　北京　100083) 段树坤 (集成光电子学国家实验室　中国科学院半导体研究所　北京　100083) 摘要　在室温下测量了用 方法生长在尖晶石( ) 衬底上的 外延层的一 M OV PE M gA l O GaN 2 4 阶喇曼光谱. 应用各种背散射和 90 °散射配置, 测得了除低频 E 2 模外所有 GaN 的喇曼活性光 学声子模. 并且在X (Z ,X ) Z 和X (Y , Y ) Z 配置下观测到了由A 1 和E 2 模混合形成的准 TO 和 准LO 模. 所得结果与群论选择定则预计的一致. PACC: 7830, 7865 1　引言 近年来 GaN 的研究得到国内外的广泛重视. 这主要是由于它在光电子器件特别是蓝绿 光发光管和激光器方面的应用前景. 通常用蓝宝石作为外延生长 GaN 的衬底, 近年来也有 ( ) ( ) 一些实验室用尖晶石 2 4 作为衬底, 并在 111 面的尖晶石衬底上生长出质量相当好 M gA l O ( ) [ 1, 2 ] 的 0001 指向的六角 GaN 外延层 . 由于这样生长的样品比较容易通过解理得到腔反射 镜, 可望在蓝光激光器件方面得到应用. 纤锌矿结构的六角 的空间群为 4 , 群论分析表明在一阶喇曼谱中可以观测到六 GaN C 6v 个光学声子模:A 1 (TO ) , A 1 (LO ) , E 1 (TO ) , E 1 (LO ) 和两个 E 2 模. 但是由于偏振选择定则 的要求, 在通常的垂直于外延层生长表面的背散射配置下只有 E 2 模和A 1 (LO ) 模是允许 的. 要想观测到所有的光学声子模, 必须采用各种适当的背散射和 90 °散射配置. 因此, 虽然 GaN 的喇曼散射已有很多研究, 在同一样品中观测到所有光学声子模的报道仍不很多. 我们测量了各种可能的背散射和 90 °散射配置下的生长在尖晶石衬底上的GaN 外延层 的喇曼散射光谱. 观测到了除低频 E 2 模外的所有 GaN 的光学声子模. 并在X ( Y , Y ) Z 和X 　 国家自然科学基金资助项目, 编号 李国华　男, 1945 年出生, 研究员, 现从事半导体光谱的研究 韩和相　男, 1941