X射线次级粒子对硅器件能量沉积及影响.pdfVIP

中国核科学技术进展报告第二卷 辐射防护分卷 年 月 射线次级粒子对硅器件能量沉积的影响 罗剑辉马 戈周海生黑东炜 西北核技术研究所陕西 西安 摘要采用外部加装屏蔽壳的方法对 射线进行辐射屏蔽可以减少 射线对器件的辐射损伤通过研究发现虽然 屏蔽材料减少了直照 射线的影响但是 射线康普顿散射光电效应产生的次级 射线和次级电子对器件的作用 不可忽略本文通过改变入射光源光子能量 探测器位置屏蔽材料厚度及照射面大小等参量采用蒙特卡罗程序 模拟进行了计算比较得到了 射线次级粒子对硅器件能量沉积的影响规律并提出了降低次级粒子影响的方法 关键词 射线康普顿散射光电效应次级粒子蒙特卡罗辐射屏蔽 射线在电子元器件中会产生电离效应并导致器件不同程度的损伤除射线本身的破坏外还产 生剂量增强 等特有的效应这是 射线与物质作用的特点决定的对于 能量范围 内 射线与腔体内部结构材料相互作用时通过光电效应和康普顿散射产生次级电子 射线这些 次级粒子将继续作用到电子元器件造成二次损伤 测量实验中发现由于光电效应及康普顿散射的 存在穿过屏蔽材料时实际 射线要大于理论的透射 射线强度值本文将着重研究在作用过程中 产生的次级粒子对硅器件的能量沉积效应 光子与物质的相互作用 在能量从 到几百 范围内的光子光子和物质的作用过程主要有光电效应和康普顿散 射两种形式光电吸收过程涉及一个或多个原子能级的量子过程 只有在光子能量 大于是原子 壳层电子的结合能 时才能发生放出光电子能量为 使是原子处于激发状态跃迁回