Ag掺杂TiO2纳米管阵列光催化性能的研究进展.pdfVIP

· 50 · 材料导报 2012年 11月第26卷专辑 20 Ag掺杂 TiO2纳米管阵列光催化性能的研究进展 刘 董，李钦雨，全 晓，陈起静，王 毅，吴春丽，杨智蕊，王 艳，秦连杰 烟台大学环境与材料工程学院，烟台 264005 摘要 综述了光催化技术的研究现状、TiOz光催化反应的机理、TiOz纳米管阵列的制备方法、不同银 离子掺 杂方式以及Ag掺杂对Ti 2光催化活性的影响，并展望了Ag掺杂Ti 2纳米管阵列的研究趋势。 关键词 TiO2纳米管 Ag掺杂 光催化 ResearchProgressonPhotocatalyticPropertiesofAgDopedTiO2NanotubeArray LIUDong，LIQinyu，QUANXiao，CHEN Qijing，WANGYi，WU Chunli， YANGZhirui，WANGYan，QINLianjie SchoolofEnvironmentandMaterialsEngineering，YantaiUniversity，Yantai264005 Abstract Theresearch statusofphotocatalytictechnology，Ti02photocatalyticreactionmechanism，Ti z nanotubearraypreparationmethod，differentsilveriondopinganddopingofAgTi02photo—catalyticactivityarere— viewed，andAgdopedTi02nanotubearrayresearchtrendsinthefutureareprospected． Keywords Ti02nanotubes，Agdoping，photocatalysis 穴则留在Ti0 表面，降低了光生电子与空穴的复合率，提高 0 引言 了TiO 纳米管阵列 的光催化活性[】。TiO 纳米管 中引入 TiO 是一种重要的无机功能材料口]，在光催化剂、气敏 Ag粒子时，因TiO 的费米能级高于Ag，Ti 中的光 电子将 传感材料、太阳能电池等领域|2 显示出广阔的应用前景。 移向Ag，从而降低 TiO 的费米能级，增加Ag的费米能级， 2001年 ，Gong等 在 HF电解液 中采用电化学阳极氧化法 接着富集在Ag表面的电子将会被氧气或者氧化性物质捕 在 Ti基体上制备出均匀有序的TiO 纳米管阵列，由此引发 获，发生反应生成羟基 自由基 ·0H 消耗电子 ，使 Ag的费 了TiO 纳米管阵列的研究热潮 。与其他形态的纳米 TiO。 米能级下降，如此往复循环使 TiO。上的电子不断往Ag上转 相比，纳米管阵列有着更大的比表面积和更强的表面吸附能 移。相对Pt、Au等其他贵金属，Ag拥有更低的成本，也是一 力[7]，因而具有更高的光电转换效率和更好的光催化性能。 种很好 的抗菌杀菌贵金属_1。 然而，TiO 是一种宽禁带 Eg一3．2eV 半导体材料，仅 本文主要综述了光催化技术的研究现状、TiO：光催化反 吸收较短波长的太阳光 A 387nm ，因此太阳能利用率很 应的机理、TiO 纳米管阵列的制备方法、不同银离子掺杂方 低；此外，光生电子和空穴_9]容易二次复合而消失，即电子、 式以及 Ag掺杂对 TiO。光催化活性的影响，并展望了Ag掺 空穴的利用率低 ，光催化活性小。通过降低 TiO。禁带宽度 杂TiO。纳米管阵列的研究趋势。 来拓宽吸收光谱响应范围、降低光生电子和空穴的复合率现 1 Ti02光催化反应的机理 已成为提高太阳能利用率和光催化性能的研究热点。近年 来，为降低 rriO。纳米管阵列 电子一空穴复合，研究内容主要 TiO 是一种 n型半导体材料，因此可以用半导体的能带 集中在TiO。纳米管的表面修饰和离子掺杂改性上，而贵金 理论阐释其光催化机理。由于几何空间的限制，半导体化合 属掺杂_1。。已成为众多改性方法中的研究热点之一。光生载 物纳米粒子的电子费米能级是分立的。在其导带和价带之 流子的迁移、捕获及其之间复合等因素决定了光催化反应效 间有一个禁带宽度 E ，光线照射半导体化合物时，只有光 率及TiO。纳米管表面光催化反应速率，贵金属掺杂的TiO 波能量满足能使半导体材料的电子从价带被激发到导带，在 纳米管阵列因其具有特殊结构的接触界面以及特有的物理 价带上留下空穴，才能形成 电子一空穴对，如若导带电子和价 化学性质而在有机污染物光催化降解反应中得到广泛应用。 带空穴复合，又会使光能以热能或其他形式散失，即光线照 TiO 光催化体系中引入贵金属后，贵金属可以捕获光生电子