Na-Sn掺杂Bi2O3-ZnO-Nb2O5陶瓷的性能.pdfVIP

Na-Sn掺杂Bi。Oa—ZnO-Nb0 陶瓷的性能／李在映等 ·391 · Na—Sn掺杂Bi203-ZnO-Nb2O5陶瓷的性能 李在映，丁士华，宋天秀，郭丽华 (西华大学材料科学与工程学院，成都 610039) 摘要 研究了Na 替代 Bi 、Sn4替代Nb 对Bi2(Zn】／3Nb2／3)207陶瓷烧结特性、显微结构和介 电性能的影 响。结果表明，替代后样品的烧结温度从 IO00~C降低到860~C；在一3O～130~C样品出现 明显的介 电弛豫现象；弛豫 激活能在0．3eV左右。用缺陷偶极子和晶格畸变对Na-Sn掺杂Bi2(Zn／。Nb23／)207的介电弛豫现象进行了解释。 关键词 锌铌酸铋基陶瓷 介电弛豫 离子替代 晶格畸变 缺陷偶极子 中图分类号：TB303 文献标识码：A PropertiesofBi203一ZnO-Nb2OsCeramicsDopedwithNa-Sn LIZaiying，DING Shihua，SONG Tianxiu，GUO Lihua (CollegeofMaterialsScienceandEngineering，XihuaUniversity，Chengdu610039) Abstract TheeffectsofsubstitutionNa forBi。 andSn4 forNb5 onthesinteringpropertiesandmicro— structureanddielectricpropertiesofBiz(Znl／3Nb2／3)2O7basedceramicsareinvestigated．Theresultsrevealthatthe sinteringtemperatureofthesubstitutedsamplesdecreasestO860℃ from IO0O~C andtherelaxationpeakisobviously observedat一3O～ 130C¨ andtheactivationenergyisabout0．3eV．Defectdipoleanddistortionofcrystallatticeare proposedforexplanationofdielectricrelaxationofNa-SndopedBi2(Zn1／3Nb2／3)207ceramics． Keywords Bi2(Znl／3Nb2，3)207basedceramic，dielectricrelaxation，ionsubstitution，distortionofcrystallat— tice，defectdipole 等 ，但 目前关于 A、B位共同离子替代的报道较少。本 0 引言 实验 以ft-BZN为研究对象，从离子替代角度出发，用电价低 BZN基陶瓷是 以Bi203一ZnO-Nb20 三元系为基础的介 且离子半径相近的Na (R№一0．1l8nm)替代A位上的Bi3+ 质陶瓷。由于自身具有烧结温度低的优点(通常可在 1000℃ (RBi一0．1l7nm)，用 S (R =0．069nm)替代 B位上的 以下致密成瓷)，因此在发展低温共烧片式器件方面有着广 Nb。。(R№一O．064nm)，探讨Na—Sn共替代对~-BZN基陶瓷 阔的应用前景[】]。另外，BZN基陶瓷具有介 电常数高、损耗 材料介电性能的影响，了解介电弛豫随替代量变化的规律， 低、温度系数可调，能用于多层陶瓷电容器和微波震荡器滤 为进一步探讨介电弛豫机制提供了实验依据。 波器等器件材料_2]，问世以来颇受国内外材料研究者 的关