不同腐蚀深度对多晶硅太阳能电池电性能的影响.pdfVIP

不同腐蚀深度对多晶硅太阳能电池电性能的影响／马绊奎等 ·203· 不同腐蚀深度对多晶硅太阳能电池 电性能的影响 马继奎 ，陈明敬 ，刘莉丽 ，闫英丽 ，张东升 ，史金超 (1 英利能源 (中国)有限公司，保定 071051；2 风帆光伏能源有限公司，保定 071051) 摘要 研究了多晶硅片表面织构化对太阳能电池 电性能的影响，通过调整工艺参数得到腐蚀深度分别为 2．9,／m、3．8m、4．6,／m的3批样品，采用扫描 电子显微镜 (SEM)和光谱响应系统表征了表面形貌和反射率，分析 了 腐蚀深度与后续各制程的关系。对比了绒面反射率及电性能参数 ，确定了最佳的腐蚀深度。 关键词 多晶硅 酸溶液腐蚀 反射率 转换效率 中图分类号：TK51 文献标识码：A InfluenceofDifferenceEtchDepthonM ulti—crystallineSolar CellElectricPerformance MAJikui，CHENMingjing。，LIU Lili，YANYingli，ZHANGDongsheng，SHIJinchao (1 YingliGreenEnergyHoldingCo．，Ltd，Baoding071051；2 BaodingFengfanSolarEnergyCo．， Ltd，Baoding071051) Abstract Theinfluencefactorsoftexturedsurfaceconditionsonmulti-crystal1inesolarcellwasresearched． Differentetchdepthsas2．9m ，3．8m，4．6m wereobtainedthroughchangingtheparameters．Themulti—crystalline siliconsurfacemorphologyandreflectanceweretestedbyscanningelectronmicroscope(SEM)andspectrum response system respectively．Therelationshipbetweenetchdepthandparameterswasanalyzed．Thebestetchdepthwascon— cludedthroughtexturereflectivitiesandelectricparameters． Keywords multi—crystallinesilicon，acidetching，reflectivity，conversionefficiency 0 引言 1 实验 近年来随着新能源行业的发展 ，光伏发电越来越受到人 1．1 实验原理 们的重视，提高效率、降低成本成为人们关注的焦点。在晶 硅片在 HF-HNO。体系中，HNO。作为氧化剂，给硅片 体硅太阳能电池中，提高转换效率的一条有效途径是增加电 表面提供空穴，打破了硅表面的Si—H键，使 si氧化成SiO。； 池对光的吸收。通常需要对切割后的硅片进行陷光处理，去 HF作为络合剂，溶解 SiO。，并生成络合物 HSiF 。化学反 掉硅片经线切割留下的机械损伤层，减小表面复合，降低表 应 的方程式为 ： 面的光反射损失，增大电池对光的吸收_1 。常用的方法有 Si+4HNO3— SiO2+4NO2+2H2O (1) 碱式制绒法和酸式制绒法。碱式制绒法一般用于单晶硅片 SiO2+6HF_+[HSiF]+2