不同退火温度下Zn+0．96+CoO．04O薄膜的磁性研究.pdfVIP

不同退火温度下Zn0．96Coo．。40薄膜的磁性研究／刘永刚等 ·91 · 不同退火温度下Zn0．96Co0．04O薄膜的磁性研究 刘永刚，杨东洋 (中国地质大学(北京)地球物理与信息技术学院，北京 100083) 摘要 通过对磁控溅射方法制备的Zno．96COo．o40薄膜退火前后结构和磁性的研究发现，Co进入ZnO的晶格 中并取代了Zn的位置 ，形成稀磁半导体结构，显示了室温铁磁性。后期真空退火可以产生更多的氧空位 ，提高BMP 之间发生交叠的几率，从而使磁矩增大。因此可以认为氧空位是产生磁性的必要条件，其磁性来源机制符合J．M D． Coey的BMP模型。 关健词 Zn0．。sCoo．oO稀磁半导体薄膜 高温退火 磁性 StudyonMagneticPropertiesofZno Coo 0 FilmsafterDifferent ． 96 ． 04 AnnealingTemperature LIU Yonggang，YANG Dongyang (SchoolofGeophysicsandInformationTechnology，ChinaUniversityofGoesciences，Beijing100083) Abstract ThestudyingofthecrystallinestructuresandmagneticpropertiesofZno Con04Ofilmswereformed ． 96 bymagnetronsputtering methodshowsthatCO 。 substituteforZnz inthetetrahedralconfigurationwithoutdestro— yingthewurzitestructureofZn0．Thepost-annealingtreatmentwillfomr moreoxygenvacancies，whichactasthe boundmagneticpolaronsandmediatetheexchangeofferromagnetism．Theresultssuggestthattheoxygenvacancy playsanimportantroleintheoriginofferromagnetism andthemagneticmechanism ofZnO-basedDMSsfollowsthe BMP theory． Keywords Zno Coo 0films，hightemperatureannealing，magnetism ． 96 ． o4 材料设计理论计算表明，过渡金属元素掺杂宽禁带半 致材料的光学、电学、磁学等特性发生相应变化。图1为 ．。一 Coo 导体有望获得高于室温的居里温度。ZnO是直接宽带隙 ． 。 O薄膜退火前后的X射线衍射图谱。从图1可以看 (3．37eV)半导体材料，具有相当高的激子束缚能，同时还是 出，退火前后薄膜的择优取向都很好，只有 ZnO(002)峰，虽 一 种压电与光电相结合的半导体材料，具有广泛的应用。因 然在真空条