一种集成离化源的FAIMS离子迁移管结构设计.pdfVIP

第29卷第4期增刊 仪 器 仪 表 学 报 Vbl．29No．4 2008年4月 ChineseJoumalofScientificInstrument Apr．2008 I 一种集成离化源的FAMS离子迁移管结构设计奉 林丙涛1’2 陈池来1 孔德义1 李庄1’2 梅涛1 (1中国科学院合肥智能机械研究所传感技术国家重点实验室安徽省仿生感知与先进机器人技术重点实验室合肥230031；) (2中国科学技术大学自动化系合肥230027) 摘要 WaveformIon 高场强不对称波形(FAIMS，High-FieldAsymmetricMobilitySpectrometry)离子迁移管中离化电极对 迁移电极存在较强的屯场干扰，限制了迁移区分辨率的进一步提高。为了解决这一问题，本文设计出带有屏蔽电极的FAIMS 离子迁移管结构，并利JlJ有限元分析软件ANSYS对其屏蔽效果进行了仿真验证。仿真结果显示加有屏蔽电极后电场干扰强 度降低到未加屏蔽电极时的0．14‰，屏蔽效果明显。 关键词 高场强不对称波形迁移谱有限元电场J并蔽 StructureofFAIMSTube withIonizationSource Design Integrated Lin ChenChilail Li MeiTaol Bingtao’，2 KongDeyilZhuan91，2 (1．State Machines and KeyLaboratoryofTransducerTechnology,InstituteofIntelligentKeyLaboratoryofBiomimeticSensing AdvancedRobot Technology,CAS,Hefei230031；) (2．Department 230027；) ofAutomation,Univers砂ofScienceTechnologyofChin皿Hefei AbstractTheelectricfieldinterferencebetweentheionizationelectrodesandionfilterelectrodesinFAIMS tubeis the oftheionfilter resolution．Tosolvethis verystrong，whichpreventsimprovement region problem，a certainstructureofFAIMStubewith shieldelectrodesiS simulationiScarriedoutfor the proposed．and verifying shieldeffeCtwithANSYSfiniteelement soft．Theresultshowsthatthe interferenceofwhich analysis intensity shieldelectrodesareaddedfaIIsto0．14％0ofwhichshieldelectrodesarenotadded．an