低温烧结制备的多孔氮化硅陶瓷的介电常数和力学性能.docVIP

低温烧结制备低介电常数和高力学性能的多孔氮化硅陶瓷 夏永封，曾玉萍，江东亮 上海硅酸盐研究所，中科院，1295年定西道，上海邮编200050 中科院研究生院，北京100039，中华人民共和国 摘要：通过凯特布兰（SiO2-B2O3-P2O5）玻璃使用传统的陶瓷工艺多孔氮化硅（Si3N4）陶瓷Si3N4陶瓷烧结1000~1200℃显示了相对较高的抗弯强度和良好的介质烧结温度和添加剂含量多孔氮化硅陶瓷抗弯强度和介电性能的影响。多孔氮化硅陶瓷的30-55％孔隙率，40-130兆帕抗折强度，以及低介电常数得。 关键词：多孔氮化硅陶瓷;介电常数;凯特布兰;低温烧结- Si3N4和β- Si3N4的介电常数（ε）分别是5.6和7.9。然而，氮化硅的介电常数仍然有很高的实际应用。孔设计，一般认为是一种降低材料介电常数的有效途径，但毛孔也可以恶化陶瓷材料的力学性能。因此，重要的是保持介电性能Y2O3+Al2O3[11]，Er2O3[12]，Yb2O3[13]）添加剂都必须通过液相烧结才能获得致密氮化硅陶瓷。然而，烧结温度仍然很高。为了在低温获得Si3N4陶瓷，低温液体阶段，如SiP2O7[14]，氧化镁-Al2O3-SiO2系统[15]，二氧化硅[16]，凯特布兰（SiO2-B2O3-P2O5）[17]等，都被使用。 在这项工作中，凯特布兰（SiO2-B2O3-P2O5）玻璃被用作烧结添加剂来制备多孔氮化硅陶瓷。并且烧结行为和添加剂对孔隙度，抗弯强度和介电常数的标本进行了研究。 2实验步骤 α- Si3N4（SN-E10中，纯度99.5％，a所占比率95％，平均粒径0.5微米;日本东京宇部兴产株式会社），磷酸（纯度≥85wt%;中国上海灵峰公司）和硼酸（纯度≥99.5wt%;中国上海中医药化学钙试剂有限公司SCRC），超细二氧化硅（30纳米，中国南平加连化工有限公司）被用作原料。 为制备凯特布兰（SiO2-B2O3-P2O5）玻璃，磷酸、硼酸和SiO2以质量比为1.77:1.38:4在500℃加热焙烧和以2℃/min的冷却速度保温2小时。对于多孔氮化硅陶瓷的制备，将氮化硅、磷酸和硼酸混合物在水中用球磨24小时;二氧化硅在烧结过程中是氮化硅的氧化剂。经过干燥和通过100目（154微米）的筛选，粉末被压成尺寸为4.5mm×10.0mm×50.0mm的长方形条，长条在恒压200Mpa的压力下冷却。这些长条首先在空气中以2℃/min的升温速率加热到500℃，保温2小时，以防止由于磷酸和硼酸的挥发所造成孔扩张，然后以5℃/min的升温和冷却速度在1000-1200℃进行烧结，并且在空气气氛中保温2小时。 在空气中使用STA-429差热分析仪（内茨，德国）以的速度进行差热分析（DTA）和热重分析（TG）。标本加工成3.0mm×4.0mm×36.0mm矩形条通过三点弯曲试验（Model AUTOGRAPH AG-I，日本岛津）来衡量抗弯强度，使用了30mm的远程支持和0.5mm/min速度的跨杆头。开放孔隙率和体积密度是用阿基米德原理以蒸馏水作为介质测量的。同相分析是通过计算机控制进行了X-射线衍射（XRD）（型号RAX-10，x射线衍射仪，日本）与Cu Kα辐射（波长为1.5418?）。应用扫描电子显微镜（SEM）（Model JXA-8100，JEOL，日本东京）多孔氮化硅陶瓷的形态观察。在室温下用射频阻抗材料分析仪（型号4291B，Agilent，USA）在频率范围为100MHz到1GHz内测量20.0 mm ×1.1 mm的样本复杂的介电常数。 3结果和讨论 3.1 凯特布兰（SiO2-B2O3-P2O5）玻璃的表征 磷酸可以在100℃下与硼酸反应，反应如下[14]： H3PO4+H3BO3＝BPO4+3H2O（1） BPO4的晶体结构包含BPO4和PO4 四面体。然而，BPO4是一种两个具有水溶性和低熔点氧化物的共聚物。BPO4是一种具有良好的介电性（e≈4）[17]的化学惰性玻璃。因此，在制备氮化硅时要适当的使用BPO4作为助烧结剂。而且, BPO4的添加可以显著提高Si3N4的强度[18]。 图1. 热重法（ TG ） ，差热分析（ DTA ）曲线凯特布兰质量比H3BO3/H3PO4/SiO2 = 1.77:1.38:4 BPO4和B2O3。B2O3来自过度硼酸，这也是有利于降低烧结温度。 图2. 热重法（ TG ） 差热分析（ DTA ）曲线凯特布兰的质量比H3BO3/H3PO4/SiO2 = 1.77:1.38:4BPO4和蒸发H2O。180℃以上，在TG曲线中没有观察到明显的重量损失，DTA曲线显示了由于BPO4结晶而形成的广泛高峰，这也是R.Hsu 报告中提到的[19]。 3.2多孔氮化硅陶瓷的相和微观结构分析 图3.氮化硅粉末核原料