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2015-08-17 发布于重庆
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低温ITO膜的制备及光电性能.pdf

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维普资讯邓建芳等：低温ITO膜的制备及光电性能总第 58期文章编号：1006—6268(2005)12一O044—04 低温 ITO膜的制备及光电性能邓建芳，李军建。杨健君 (电子科技大学光电信息学院，t~1)ll成都 610054) 摘要：论述了直流磁控溅射法低温 ITO透明导电薄膜的过程中，衬底温度、溅射功率、溅射压强、水蒸气分压对 ITO 薄膜的光电性能的影响．在通入分压为3x10jTorr的水蒸气、衬底温度 5O℃ 、低功率 1OOW 的条件下制备出了光电性能优良的ITO 透明导电膜，其方阻为 275~／rq．在可见光区平均透过率高于为 83％：关键词：低温 ITO；直流磁控溅射：光电性能中图分类号：TN104．3 文献标识码：B Low TemperatureDepositionandPhotoelectric PropertiesofITO ms DENGJian—fang，LIJun-jian，YANGJian—jun (SchoolofOpto—ElectronicInformation，UniversityofElectronicScienceandTechnologyof China，SichuanChengdu610054， China) Abstract：ThephotoelectricpropertiesofITO filmswerestudiedwithdifferentdepositiOn parameters such as the temperature of substrates ， power，pressure，H2O gas partial pressure during direct current magnetron sputtering at low temperature ． Using 5Cloc substrates，anadditionof3×10。。TorrofH2O gasin thesputtering processachievedthe ITO filmswithsheetresistanceof275O ／D andtransparencyofover83％ inthevisible wavelengthregion． Keywords：Low temperature ITO direct current magnetron sputtering； Photoelectric ． properties 引言的可见光透过率以及红外反射率，易刻蚀成透明电极图形，是理想的透明导电薄膜，可广泛应用于氧化铟锡膜 ITO(IndiumTinOxide)是一种非 LCD、FED、OLED等平板显示器件的透明电极中。常重要的光电子信息材料，具有优良的导电性、较高